ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd
GROUPE DE CHONGMING (HK) CIE. INTERNATIONALE, LTD.
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KSP2907A
Transistor d'usage universel
• Tension de collecteur-émetteur : VCEO= 60V
• Dissipation de puissance de collecteur : PC =625mW (maximum)
• Référez-vous à KSP2907 pour des graphiques
Transistor épitaxial de silicium de PNP
Capacités absolues Ta=25°C sauf indication contraire
Unités de valeur de paramètre de symbole
Tension de collecteur-base de VCBO -60 V
Tension de collecteur-émetteur de VCEO -60 V
Tension -5 V d'Émetteur-base de VEBO
Courant de collecteur d'IC -600 mA
Dissipation de puissance de collecteur de PC 625 mW
Température de stockage -55 | du °C TSTG de la température de jonction de TJ 150 °C 150
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