TLP155 (circuit intégré électronique d'E Chips Photocouplers GaA en tant que LED et photo infrarouges IC

Infrarouge LED de GaAℓAs de photocoupleurs et photo IC TLP155

Applications

• Panneaux d'écran plasma (PDP)

• Inverseurs de transistor

• Conducteurs de porte de transistor MOSFET

• Conducteurs de porte d'IGBT

Généralités

Toshiba TLP155 se compose des diodes électroluminescentes infrarouges d'un GaAℓAs et des détecteurs photoélectriques à gain élevé et ultra-rapides intégrés. Le TLP155 est logé dans le paquet SO6. Le détecteur photoélectrique a un bouclier interne de Faraday qui fournit une immunité passagère garantie de Commun-mode de ±20 kV/µ. TLP155 convient au circuit direct d'entraînement de porte pour IGBTs ou transistors MOSFET de puissance.

Caractéristiques

(1) type de logique de tampon (sortie de poteau de totem)

(2) type de paquet : SO6

(3) courant de pointe de sortie : ±0.6 A (maximum)

(4) température de fonctionnement : -40 à 100℃

(5) courant d'entrée de seuil : 7,5 mA (de maximum)

(6) temps de retard de propagation : tpHL/tpLH = 200 NS (maximum)

(7) immunité passagère de Commun-mode : ±20 kV/µs (minute)

(8) biais de retard de propagation : ±85 NS (maximum)

(9) tension d'isolement : 3750 Vrms (minute)

Emballage et Pin Assignment

Circuit interne (note)

Capacités absolues (note) (sauf indication contraire, merci = 25℃)

Note : Utilisant sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application de la haute température/actuel/tension et la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité de manière significative même si les conditions de fonctionnement (c.-à-d. température de fonctionnement/actuel/tension, etc.) sont dans les capacités absolues.

Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba (« manipulant » de précautions/« sous-sollicitant le concept et les méthodes ») et les différentes données de fiabilité (c.-à-d. rapport des essais de fiabilité et taux d'échec, etc. prévus).

Note 1 : Μs du ≤ 1 de la durée d'impulsion (picowatt), 300 PPS

Note 2 : Forme d'onde exponentielle. Μs du ≤ 2 de durée d'impulsion, ≤ de f 10 kilohertz, VCC = 20V, merci = -40 à 100℃

Note 3 : Ce dispositif est considéré comme dispositif de deux-terminal : Les bornes 1 et 3 sont court-circuitées ensemble, et les bornes 4, 5 et 6 sont court-circuitées ensemble.

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