Circuit intégré Chip Original Integrated Circuit de CY7C433-20JXC

Offre courante (vente chaude)

CY7C419/21/25/29/33

256/512/1K/2K/4K X 9 fifo asynchrone

Caractéristiques

• Premiers- souvenirs de tampon (fifo) à système premier entré, premier sorti asynchrones

• 256 x 9 (CY7C419)

• 512 x 9 (CY7C421)

• 1K X 9 (CY7C425)

• 2K X 9 (CY7C429)

• 4K X 9 (CY7C433)

• Cellule à double accès de RAM

• Indépendant 50.0-MHz lecture/écriture ultra-rapide de profondeur/de largeur

• Basse puissance fonctionnante : ICC = 35 mA

• Drapeaux vides et pleins (drapeau à moitié plein dans autonome)

• TTL compatible

• Retransmettez dans autonome

• Expansible dans la largeur

• IMMERSION de PLCC, de 7x7 TQFP, de SOJ, de 300 mils et de 600 mils

• Paquets sans Pb disponibles

• Pin compatible et fonctionellement équivalent à IDT7200, à IDT7201, à IDT7202, à IDT7203, à IDT7204, à AM7200, à AM7201, à AM7202, à AM7203, et à AM7204

Description fonctionnelle

Les CY7C419, les CY7C420/1, les CY7C424/5, les CY7C428/9, et les CY7C432/3 sont les premiers- souvenirs (fifo) à système premier entré, premier sorti ont offert en 600 mil de large et 300 paquets de large de mil. Ils des mots sont, respectivement, 256, 512, 1 024, 2 048, et 4 096 par 9 bits au loin. Chaque mémoire de fifo est tel organisé que les données sont lues dans le même ordre séquentiel qu'on lui a écrit. De pleins et vides drapeaux sont fournis pour empêcher le dépassement et l'underrun. Trois bornes supplémentaires sont également fournies pour faciliter l'expansion illimitée dans la largeur, la profondeur, ou chacun des deux. La technique d'expansion de profondeur oriente les signaux de commande d'un dispositif à l'autre en parallèle, de ce fait éliminant l'addition périodique des retards de propagation, de sorte que la sortie ne soit pas réduite. Des données sont orientées d'une façon semblable.

La lecture et écrire des opérations peut être asynchrone ; chacun peut se produire à un taux de 50,0 mégahertz. Écrivez l'opération se produit quand écrivez (w) le signal est BAS. La lecture se produit quand (r) lu passe à 0. Les neuf sorties de données aller à l'état à grande impédance quand R est HAUT.

Un drapeau à moitié plein de la sortie (à haute fréquence) est à condition que soit valide dans les configurations autonomes et de largeur d'expansion. Dans la configuration d'expansion de profondeur, cette goupille fournit les informations d'expansion (XO) qui sont employées pour indiquer au prochain fifo qu'il sera activé.

Dans les configurations autonomes et de largeur d'expansion, un BAS sur retransmettent l'entrée (droite) fait retransmettre le FIFOs les données. Lu permettez (r) et écrire pour permettre (w) doit être HAUTE pendant retransmettent, et alors R est employé pour accéder aux données.

Les CY7C419, les CY7C420, les CY7C421, les CY7C424, les CY7C425, les CY7C428, les CY7C429, les CY7C432, et les CY7C433 sont fabriqués utilisant une technologie avancée de P-well CMOS de 0,65 microns. La protection d'ESD d'entrée est plus grande que 2000V et verrou- est empêché par les anneaux soigneux de disposition et de garde.

Estimation maximum ^[1]

(En haut que la vie utile peut être altéré. Pour des directives d'utilisateur, non examiné.)

Température de stockage ................................. – 65°C à +150°C

Température ambiante avec

Puissance ............................................. – 55°C appliqué à +125°C

Tension d'alimentation pour rectifier le potentiel ............... – 0.5V à +7.0V

Tension CC appliquée aux sorties

dans l'état élevé de Z ................................................ – 0.5V à +7.0V

Le C.C a entré la tension ............................................ – 0.5V dans +7.0V

Dissipation de puissance .......................................................... 1.0W

Courant de sortie, dans des sorties (BAS) ............................ 20 mA

Tension de décharge statique ............................................ >2000V

(par MIL-STD-883, méthode 3015)

Courant de verrou- ..................................................... >200 mA

Note : 1. alimentation d'énergie simple : La tension sur aucune entrée ou goupille d'entrée-sortie ne peut pas dépasser la goupille de puissance pendant la mise sous tension.

Plage de fonctionnement