ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

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HCNR201 circuit intégré Chip High-Linearity Analog Optocouplers

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HCNR201 circuit intégré Chip High-Linearity Analog Optocouplers

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Number modèle :HCNR201
Point d'origine :original
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal, Western Union
Capacité d'approvisionnement :5200PCS
Délai de livraison :1 jour
Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails
Description :L'optoisolant photovoltaïque, linéarisé a produit 5000Vrms 1 la Manche 8-DIP
Basse non-linéarité :0,01%
Température de stockage :-55°C à +125°C
Température de fonctionnement (MERCI) :-55°C à +100°C
La température de jonction (TJ) :125°C
Tension inverse de photodiode d'entrée :30V
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Description

Le coupleur optique analogue des haut-linéarités HCNR200/201 se compose d'un AlGaAs performant LED qui illumine deux photodiodes étroitement assorties. La photodiode d'entrée peut être utilisée pour surveiller, et donc pour stabiliser, le rendement lumineux de la LED. En conséquence, on peut presque entièrement éliminer la non-linéarité et les caractéristiques de dérive de la LED. La photodiode de sortie produit un loyer de photocur qui est linéairement lié au rendement lumineux de la LED. L'assortiment étroit des photodiodes et la conception avancée du paquet assurent les linéarités élevées et les caractéristiques stables de gain du coupleur opto.

Le HCNR200/201 peut être employé pour isoler les signaux analogues dans une grande variété d'applications qui exigent la bons stabilité, linéarités, largeur de bande et coût bas. Le HCNR200/201 est très la Floride exible et, par la conception de priate d'appro du circuit d'application, est capable du fonctionnement en beaucoup de différents modes, inclut l'ing : unipolaire/bipolaire, ac/dc et inverser non-inverser. Le HCNR200/201 est une excellente solution pour beaucoup de problèmes analogues de tion d'isola.

Caractéristiques

basse non-linéarité de  : 0,01%

gain HCNR200 de transfert du  K3 (IPD2/IPD1) : ±15% HCNR201 : ±5%

bas coeffi de la température de gain de  cient : -65 ppm/°C

grande largeur de bande de  – C.C à >1 mégahertz

approbation mondiale de sécurité de 

– UL 1577 identifiée (5 estimation minimum de kilovolt rms/1)

– CSA a approuvé

– En 60747-5-2 d'IEC/EN/DIN a approuvé VIORM de = crête 1414 V (option #050)

option extérieure de bâti de  disponible (option #300)

paquet d'IMMERSION du  8-Pin - 0,400" espacement

le  permet à la Floride la conception de circuit exible

Dessins d'ensemble de paquet

Capacités absolues

Température de stockage .............................................................................................. - 55°C à la température de fonctionnement de +125°C (VENTRES) ................................................................................. -55°C à la température Profi le de la température de jonction de +100°C (TJ) ......................................................................................................... 125°C Refl aïe .............................................. voient la température ............................................................................................ 260°C de soudure d'avance de section de dessins d'ensemble de paquet pour 10s

(jusqu'à l'avion de places assises)

La moyenne a entré actuel - SI ........................................................................................................ la crête de 25 mA entrait actuel - SI ............................................................................................................... 40 mA

(50 durées d'impulsion maximum de NS)

Tension d'entrée inverse - VR ............................................................................................................ 2,5 V

(IR = 100 μA, borne 1-2)

Dissipation de puissance d'entrée .................................................................................... 60 VENTRES de mW @ = 85°C

(Sous-sollicitez à 2,2 mW/°C pour des températures de fonctionnement au-dessus de 85°C)

Tension inverse de photodiode de sortie ........................................................................................ 30 V

(Borne 6-5) tension inverse de photodiode d'entrée ............................................ 30 V

(Borne 3-4)

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