ChongMing Group (HK) International Co., Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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Semiconducteur MOSFET complémentaire de transistors de puissance de silicium MJ15025G
− MJ15023, MJ15025* DE PNP
Transistors de puissance de silicium
Les MJ15023 et les MJ15025 sont des transistors de puissance de PowerBase conçus pour l'audio de puissance élevée, les positionneurs principaux de disque et d'autres applications linéaires.
Caractéristiques
• Région élevée d'opération sûre (100% examiné) −2 A @ 80 V
• HFE élevé de − de gain actuel de C.C = 15 (minute) @ IC = 8 CDA
• Les paquets de Pb−Free sont Available*
MJ1502x = code de dispositif
x = 3 ou 5
G = paquet de Pb−Free
= emplacement d'Assemblée
Y = année
WW = semaine de travail
MEX = pays d'origine
L'INFORMATION DE COMMANDE
| Dispositif | Paquet | Expédition |
| MJ15023 | TO−204 | 100 unités/plateau |
| MJ15023G |
TO−204 (Pb−Free) |
100 unités/plateau |
| MJ15025 | TO−204 | 100 unités/plateau |
| MJ15025G |
TO−204 (Pb−Free) |
100 unités/plateau |
Il y a deux limitations sur la capacité powerhandling d'un transistor : la température de jonction moyenne et deuxième panne. Les courbes de secteur de fonctionnement sûr indiquent que le − VCE d'IC limite du transistor qui doit être observé pour l'opération fiable ; c.-à-d., le transistor ne doit pas être soumis à une plus grande dissipation que les courbes indiquent.
Les données du schéma 1 sont basées sur TJ (PK) = 200C ; Le comité technique est variable selon des conditions. Aux températures de carter élevées, les limitations thermiques réduiront la puissance qui peut être manipulée aux valeurs moins que les limitations imposées par la deuxième panne.
CARACTÉRISTIQUES TYPIQUES