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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

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IRF740PBF-BE3 transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance du CANAL TO-220 double

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China IRF740PBF-BE3 transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance du CANAL TO-220 double wholesale
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IRF740PBF-BE3 transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance du CANAL TO-220 double
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Number modèle :IRF740
Point d'origine :original
Quantité d'ordre minimum :5pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :290PCS
Délai de livraison :1 jour
Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails
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PM200RSA060 120 MITSUBISH 13+ MOUDLE
MSM5219BGS-K-7 550 OKI 14+ QFP
PS11003-C 500 MITSUBISH 12+ MODULE
MB87020PF-G-BND 3531 FUJITSU 14+ QFP
MA2820 7689 SHINDENG 16+ FERMETURE ÉCLAIR
7MBP150RTB060 210 FUJI 12+ MODULE
MBM200HS6B 629 HITACHI 14+ MODULE
PM25RSK120 320 MITSUBISH 10+ MOUDLE
QM150DY-H 150 MITSUBISH 13+ MODULE
PWB130A40 120 SANREX 14+ MODULE
LA1185 3928 SANYO 14+ SIP9
BSM25GP120 458 EUPEC 15+ MODULE
LM2750LD-ADJ 3000 NSC 14+ QFN
NCN1188MUTAG 8480 SUR 16+ UQFN
NCN1154MUTAG 8400 SUR 16+ UQFN
LM2745MTCX 3000 NSC 14+ TSSOP-14
L78L05ABD 10000 St 15+ SOP8
AT24C08BN-SH 5000 ATMEL 15+ SOP-8
PS21563-P 500 MITSUBISH 12+ MODULE
BNX003-01 2058 MURATA 14+ IMMERSION
LTC4441IMSE 6207 LINÉAIRE 14+ MSOP
PA0173NLT 7386 IMPULSION 16+ CONCESSION
P0926NL 8560 IMPULSION 16+ CONCESSION
PM10CSJ060 145 MITSUBISH 10+ MOUDLE
PH150S280-24 914 Lambda 16+ IGBT
LM75CIMX-5 4325 NSC 14+ SOP-8
PDT15016 392 NIEC 14+ MODULE
CXA3834M 2531 SONY 15+ CONCESSION
NS8002 40000 NSIWAY 16+ CONCESSION
MP8707EN-LF-Z 5854 MP 16+ CONCESSION
MAP3202 3234 MAGNACHIP 16+ CONCESSION
PS20660-MRZ 200 MITSUBISH 05+ MODULE
PK55GB80 80 SANREX 12+ MODULE
BSM200GD60DLC 368 EUPEC 14+ MODULE
LV8401V-TLM-E 5128 SUR 16+ SSOP
2DI150D-050C 991 FUJI 14+ MODULE
QM50HA-H 300 MITSUBISH 13+ MODULE

IRF740 N - transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance du CANAL TO-220 double

■Le RDS TYPIQUE (dessus) = 0,48 Ω

■CAPACITÉ EXTRÊMEMENT ÉLEVÉE de dv/dt

■L'AVALANCHE 100% A EXAMINÉ

■BASSES CAPACITÉS INTRINSÈQUES MÊMES

■LA CHARGE DE PORTE A RÉDUIT AU MINIMUM

DESCRIPTION

Ce transistor MOSFET de puissance est conçu utilisant la bande consolidée de la société la MAILLE que basée sur disposition A RECOUVERT le processus de . Cette technologie assortit et améliore les résultats comparés aux parties standard de diverses sources.

APPLICATIONS

■COMMUTATION À FORTE INTENSITÉ

■ALIMENTATION D'ÉNERGIE NON INTERRUPTIBLE (UPS)

■DC/DC COVERTERS POUR DES TÉLÉCOM, INDUSTRIEL,

ET MATÉRIEL D'ÉCLAIRAGE.

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