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Offre courante (vente chaude)
Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
STU404D | 5000 | SAMHOP | 15+ | TO252 |
TB6560AHQ | 5000 | TOSHIBA | 16+ | FERMETURE ÉCLAIR |
TC4001BP | 5000 | TOSHIBA | 16+ | DIP-14 |
TCA785 | 5000 | INFINECN | 14+ | IMMERSION |
TCN75AVOA | 5000 | PUCE | 14+ | SOIC-8 |
TCN75AVOA713 | 5000 | PUCE | 14+ | SOP8 |
TDA1524A | 5000 | 16+ | IMMERSION | |
TL072CP | 5000 | TI | 16+ | DIP8 |
TLP127 | 5000 | TOSHIBA | 13+ | CONCESSION |
TLP620-4 | 5000 | TOSHIBA | 15+ | IMMERSION |
TOP244YN | 5000 | PUISSANCE | 16+ | TO-220 |
TS274CDT | 5000 | St | 16+ | SOP-14 |
TS924AIDT | 5000 | St | 14+ | SOP-14 |
ST D'UC3844BD | 5000 | St | 14+ | SOP8 |
UDA1341TS | 5000 | 14+ | SSOP28 | |
VIPER22A | 5000 | St | 16+ | DIP-8 |
VLF4012AT-4R7M1R1 | 5000 | TDK | 16+ | SMD |
PBSS5160T | 5001 | 13+ | SOT-23 | |
PL2303 | 5001 | PROLIFIQUE | 15+ | SSOP |
NDT451AN | 5002 | FSC | 16+ | SOT223 |
MAX1681ESA | 5008 | MAXIME | 16+ | SOP8 |
HFJ11-2450E-L12 | 5009 | HALOELECT | 14+ | RJ45 |
L6598 | 5010 | St | 14+ | SOP16 |
ZM4744A | 5100 | VISHAY | 14+ | LL41 |
HCNW136 | 5101 | AVAGO | 16+ | DIP8 |
CQ1565RT | 5111 | FAIRCHILD | 16+ | TO-220 |
FZT758TA | 5111 | ZETEX | 13+ | SOT223 |
LM324DR | 5111 | TI | 15+ | SOP-14 |
TFA9842 | 5112 | 16+ | FERMETURE ÉCLAIR | |
MAX483ESA | 5117 | MAXIME | 16+ | SOP-8 |
IRFZ44NPbF
Transistor MOSFET de puissance de HEXFET®
VDSS = 55V
Le RDS (dessus) = 17.5mΩ
Identification = 49A
Description
Les transistors MOSFET avancés de puissance de HEXFET® du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.
Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance à approximativement 50 watts. La basse résistance thermique et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent à son acceptation large dans toute l'industrie.
Capacités absolues
Paramètre | Maximum. | Unités | |
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 25°C | Courant continu de drain, VGS @ 10V | 49 | |
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C | Courant continu de drain, VGS @ 10V | 35 | |
IDM | Courant pulsé de drain ? | 160 | |
Palladium @TC = 25°C | Dissipation de puissance | 94 | W |
Facteur de sous-sollicitation linéaire | 0,36 | W/°C | |
VGS | Tension de Porte-à-source | ± 20 | V |
IAR | Courant d'avalanche ? | 25 | |
OREILLE | Énergie répétitive d'avalanche ? | 9,4 | MJ |
dv/dt | Récupération maximale dv/dt de diode | 5,0 | V/ns |
TJ TSTG |
Jonction fonctionnante et Température ambiante de température de stockage |
-55 + à 175 | °C |
La température de soudure, pendant 10 secondes | 300 (1.6mm du cas) | °C | |
Montant le couple, 6-32 ou le srew M3 | 10 livres-force•dans (1.1N•m) |
Contour de paquet de TO-220AB
Des dimensions sont montrées dans les millimètres (pouces)
L'information de repérage de pièce de TO-220AB