ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

Manufacturer from China
Membre actif
3 Ans
Accueil / produits / Electronic IC Chips /

Transistor MOSFET IC IC électrique de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance d'IRFZ44NPBF

Contacter
ChongMing Group (HK) International Co., Ltd
Ville:shenzhen
Pays / Région:china
Contact:MsDoris Guo
Contacter

Transistor MOSFET IC IC électrique de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance d'IRFZ44NPBF

Demander le dernier prix
Chaîne vidéo
Number modèle :IRFZ44NPBF
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :8700pcs
Délai de livraison :1 jour
Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails
Contacter

Add to Cart

Trouver des vidéos similaires
Voir la description du produit

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
STU404D 5000 SAMHOP 15+ TO252
TB6560AHQ 5000 TOSHIBA 16+ FERMETURE ÉCLAIR
TC4001BP 5000 TOSHIBA 16+ DIP-14
TCA785 5000 INFINECN 14+ IMMERSION
TCN75AVOA 5000 PUCE 14+ SOIC-8
TCN75AVOA713 5000 PUCE 14+ SOP8
TDA1524A 5000 16+ IMMERSION
TL072CP 5000 TI 16+ DIP8
TLP127 5000 TOSHIBA 13+ CONCESSION
TLP620-4 5000 TOSHIBA 15+ IMMERSION
TOP244YN 5000 PUISSANCE 16+ TO-220
TS274CDT 5000 St 16+ SOP-14
TS924AIDT 5000 St 14+ SOP-14
ST D'UC3844BD 5000 St 14+ SOP8
UDA1341TS 5000 14+ SSOP28
VIPER22A 5000 St 16+ DIP-8
VLF4012AT-4R7M1R1 5000 TDK 16+ SMD
PBSS5160T 5001 13+ SOT-23
PL2303 5001 PROLIFIQUE 15+ SSOP
NDT451AN 5002 FSC 16+ SOT223
MAX1681ESA 5008 MAXIME 16+ SOP8
HFJ11-2450E-L12 5009 HALOELECT 14+ RJ45
L6598 5010 St 14+ SOP16
ZM4744A 5100 VISHAY 14+ LL41
HCNW136 5101 AVAGO 16+ DIP8
CQ1565RT 5111 FAIRCHILD 16+ TO-220
FZT758TA 5111 ZETEX 13+ SOT223
LM324DR 5111 TI 15+ SOP-14
TFA9842 5112 16+ FERMETURE ÉCLAIR
MAX483ESA 5117 MAXIME 16+ SOP-8

IRFZ44NPbF

Transistor MOSFET de puissance de HEXFET®

  • Technologie transformatrice avancée ?
  • Sur-résistance très réduite ?
  • Estimation dynamique de dv/dt ?
  • température de fonctionnement 175°C ?
  • Commutation rapide ?
  • Entièrement avalanche évaluée ?
  • Sans plomb

VDSS = 55V

Le RDS (dessus) = 17.5mΩ

Identification = 49A

Description

Les transistors MOSFET avancés de puissance de HEXFET® du redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.

Le paquet TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commercial-industrielles aux niveaux de dissipation de puissance à approximativement 50 watts. La basse résistance thermique et le bas coût de paquet du TO-220 contribuent à son acceptation large dans toute l'industrie.

Capacités absolues

Paramètre Maximum. Unités
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 25°C Courant continu de drain, VGS @ 10V 49
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C Courant continu de drain, VGS @ 10V 35
IDM Courant pulsé de drain ? 160
Palladium @TC = 25°C Dissipation de puissance 94 W
Facteur de sous-sollicitation linéaire 0,36 W/°C
VGS Tension de Porte-à-source ± 20 V
IAR Courant d'avalanche ? 25
OREILLE Énergie répétitive d'avalanche ? 9,4 MJ
dv/dt Récupération maximale dv/dt de diode 5,0 V/ns

TJ

TSTG

Jonction fonctionnante et

Température ambiante de température de stockage

-55 + à 175 °C
La température de soudure, pendant 10 secondes 300 (1.6mm du cas) °C
Montant le couple, 6-32 ou le srew M3 10 livres-force•dans (1.1N•m)

Contour de paquet de TO-220AB

Des dimensions sont montrées dans les millimètres (pouces)

L'information de repérage de pièce de TO-220AB

Inquiry Cart 0