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Appareils électroniques de composants de l'électronique de transistor d'IRFP150N
Transistor MOSFET de puissance de N-canal
Caractéristiques
• Sur-résistance très réduite - le RDS (DESSUS) = 0.030Ω, VGS = 10V
• Modèles de simulation
- Modèles électriques à température compensée de PSPICE™ et de SABER©
- Épice et modèles thermiques d'impédance de SABER©
- www.fairchildsemi.com
• Courant de pointe contre la courbe de durée d'impulsion
• Courbe d'estimation d'UIS
C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
Recherche 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
Recherche 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
C.I MCP6S26-I/SL | PUCE | 16255C4 | SOP-14 |
ACOPLADOR. PC817A | DIÈSE | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
TRANSPORT 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
C.I CL2N8-G | PUCE | CL2C | SOT-89 |
C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
C.I L6219DS | St | 135 | SOP-24 |
PAC 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
PAC ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | CASSEROLE | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
C.I 24LC256-I/SN | PUCE | 1636M6G | SOP-8 |
PAC ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
RECHERCHE RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
RECHERCHE RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
PAC CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
PAC CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
Recherche 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
CAS 0805RC0805JR-073K3L de la RECHERCHE 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
TRIAC BTA26-600BRG | St | 628 | TO-3P |
PAC 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Capacités absolues comité technique = 25oC, sauf indication contraire
Vidangez à la tension de source (note 1)……………………. VDSS 100 V
Vidangez pour déclencher la tension (RGS = 20kΩ) (note 1)……………… VDGR 100 V
Porte à la tension de source…………………. ………. VGS ±20 V
Vidangez continu actuel (TC= 25oC, VGS = 10V) (le schéma 2)…. ………… IDENTIFICATION
Continu (TC= 100oC, VGS = 10V) (identification du schéma 2)…………
Courant pulsé de drain……………………. .IDM 44 31
Le schéma 4 une estimation………………… .UIS d'avalanche pulsée par A
Les schémas 6, 14, palladium de dissipation de puissance 15…………………
Sous-sollicitez au-dessus de 25oC…………………… 155 1,03 W W/oC
Opération et température de stockage……… TJ, TSTG -55 à 175 OC
Température maximale pour les avances de soudure à 0.063in (1.6mm) du point de droit pour 10s. …. .TL
Le corps de paquet pour 10s, voient Techbrief TB334……… Tpkg 300 260 OC OC