Transistor 19A, 100V, 0,200 ohms, transistors MOSFET de transistor MOSFET de puissance du transistor MOSFET IC de la puissance IRF9540 de puissance de P-canal

IRF9540, RF1S9540SM

19A, 100V, 0,200 ohms, transistors MOSFET de puissance de P-canal

Ce sont des transistors à effet de champ de puissance de porte de silicium de mode d'amélioration de P-canal. Ils sont les transistors MOSFET avancés de puissance conçus, examinés, et garantis pour résister à un niveau spécifique d'énergie dans le mode de fonctionnement d'avalanche de panne. Tous ces transistors MOSFET de puissance sont conçus pour des applications telles que des régulateurs de commutation, des convertisseurs de changement, des conducteurs de moteur, des conducteurs de relais, et des conducteurs pour les transistors de commutation bipolaires de puissance élevée exigeant la puissance à grande vitesse et basse d'entraînement de porte. Ils peuvent être actionnés directement à partir des circuits intégrés.

Type autrefois développemental TA17521.

Caractéristiques

• 19A, 100V

• le RDS _(DESSUS) = 0.200Ω

• L'énergie simple d'avalanche d'impulsion a évalué

• SOA est Power Dissipation Limited

• Vitesses de commutation de nanoseconde

• Caractéristiques de transfert linéaires

• Impédance élevée d'entrée

• Littérature relative - TB334 « directives pour les composants extérieurs de soudure de bâti aux panneaux de PC »

Capacités absolues comité technique = 25℃, sauf indication contraire

PRÉCAUTION : Les efforts au-dessus de ceux énumérés dans « des capacités absolues » peuvent endommager permanent le dispositif. C'est une seule estimation d'effort et l'opération du dispositif à ces derniers ou d'aucune autre condition au-dessus de ceux indiqués dans les sections opérationnelles de ces spécifications n'est pas impliquée.

NOTE : 1. TJ = 25℃ à 150℃.

Symbole

Emballage

JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB

Circuits et formes d'onde d'essai

Offre courante (vente chaude)