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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

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China Double transistor MOSFET II de l'ohm TO-220 PowerMESH du N-CANAL 600V 1,8 de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de la puissance IRFBC30] wholesale

Double transistor MOSFET II de l'ohm TO-220 PowerMESH du N-CANAL 600V 1,8 de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de la puissance IRFBC30]

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Number modèle :IRFBC30

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :10pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :8500pcs

Délai de livraison :1 jour

Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails

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IRFBC30

N - CANAL 600V - Ω 1,8 - 3.6A - transistor MOSFET de TO-220 PowerMESHTM ΙΙ

TYPE	VDSS	Le RDS _(dessus)	Identification
IRFBC30	600 V	< 2="">	3,6 A

TO-220

■Ω 1,8 TYPIQUE _du RDS _(dessus) =

■CAPACITÉ EXTRÊMEMENT ÉLEVÉE de dv/dt

■L'AVALANCHE 100% A EXAMINÉ

■BASSES CAPACITÉS INTRINSÈQUES MÊMES

■LA CHARGE DE PORTE A RÉDUIT AU MINIMUM

DESCRIPTION

Le PowerMESHTM ΙΙ est l'évolution de la première génération de la MAILLE OVERLAYTM. Les améliorations de disposition présentées considérablement pour améliorer le facteur de mérite de Ron*area tout en gardant le dispositif au bord d'attaque pour quelles vitesse de changement de soucis, charge de porte et rugosité.

APPLICATIONS

■COMMUTATION À FORTE INTENSITÉ ET À GRANDE VITESSE

■ALIMENTATIONS D'ÉNERGIE DE MODE DE SWITH (SMPS)

■CONVERTISSEURS DE DC-AC POUR LES ALIMENTATIONS D'APPAREIL À SOUDER ET D'ÉNERGIE NON INTERRUPTIBLE ET LE CONDUCTEUR DE MOTEUR

CAPACITÉS ABSOLUES

Symbole	Paramètre	Valeur	Unité
VDS	tension de Drain-source (VGS = 0)	600	V
VDGR	Tension de porte de drain (RGS = kΩ 20)	600	V
VGS	tension de Porte-source	± 20	V
Identification	Vidangez actuel (continu) à comité technique = le ℃ 25	3,6
Identification	Vidangez actuel (continu) à comité technique = le ℃ 100	2,3
IDM (•)	Courant de drain (pulsé)	14
Ptot	Dissipation totale à comité technique = ℃ 25	75	W
	Sous-sollicitation du facteur	0,6	W/℃
dv/dt (1)	Pente maximale de tension de récupération de diode	3	V/ns
Tstg	Température de stockage	-65 à 150	℃
Tj	La température de jonction de Max. Operating	150	℃

(•) Durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre

(1) ISD ≤3.6 A, ≤ 60 A/µs, ≤ V (BR) SAD, ≤ TJMAX de di/dt de VDD de Tj

SCHÉMA DE PRINCIPE INTERNE

DONNÉES TO-220 MÉCANIQUES

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