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Puce d'IC de mémoire instantanée

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Unité de microcontrôleur de MCU

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Composants électroniques

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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MsDoris Guo

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Puissance complémentaire DarliCM GROUPon Transistors de silicium de transistor de transistor MOSFET de la puissance TIP122

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Number modèle :TIP122

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :20pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :6800pcs

Délai de livraison :1 jour

Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails

tension d'Émetteur-base :5 V

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TIP120/121/122

TIP125/126/127

TRANSISTORS COMPLÉMENTAIRES DE LA PUISSANCE DARLICM GROUPON DE SILICIUM

■STMicroelectronics A PRÉFÉRÉ SALESTYPES

DESCRIPTION

Les TIP120, les TIP121 et les TIP122 sont des transistors de puissance de l'Épitaxial-base NPN de silicium dans la configuration monolithique de DarliCM GROUPon montée en paquet en plastique de Jedec TO-220. Ils intented pour l'usage dans des applications linéaires et commutantes de puissance. Les types complémentaires de PNP sont TIP125, TIP126 et TIP127, respectivement.

CAPACITÉS ABSOLUES

Symbole	Paramètre		Valeur			Unité
		NPN	TIP120	TIP121	TIP122
		PNP	TIP125	TIP126	TIP127
VCBO	Tension de collecteur-base (IE = 0)		60	80	100	V
VCEO	Tension de collecteur-émetteur (IB = 0)		60	80	100	V
VEBO	SCHÉMA DE PRINCIPE INTERNE (IC = 0)		5			V
IC	Courant de collecteur		5
Missile aux performances améliorées	Courant de pointe de collecteur		8
IB	Courant bas		0,1
Ptot	Dissipation totale au ℃ du ≤ 25 de Tcase ℃ du ≤ 25 de Tamb		65 2			W
Tstg	Température de stockage		-65 à 150			℃
Tj	La température de jonction de Max. Operating		150			℃

TO-220 SCHÉMA DE PRINCIPE INTERNE

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