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ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd

GROUPE DE CHONGMING (HK) CIE. INTERNATIONALE, LTD.

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Accueil / produits / Electronic IC Chips / Fossé IGBT de transistor de transistor MOSFET de puissance de FGA25N120ANTDTU nouveau et original de 1200V TNP /

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Fossé IGBT de transistor de transistor MOSFET de puissance de FGA25N120ANTDTU nouveau et original de 1200V TNP
Fossé IGBT de transistor de transistor MOSFET de puissance de FGA25N120ANTDTU nouveau et original de 1200V TNP
  • Fossé IGBT de transistor de transistor MOSFET de puissance de FGA25N120ANTDTU nouveau et original de 1200V TNP
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FGA25N120ANTD/FGA25N120ANTD_F109 fossé IGBT de 1200V TNP Caractéristiques • Technologie de fossé de TNP, coefficient de température positif • Basse ...
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