ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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Module 600V, arrêt de champ 60A IGBT de transistor MOSFET de puissance de FGH60N60SFDTU

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Module 600V, arrêt de champ 60A IGBT de transistor MOSFET de puissance de FGH60N60SFDTU

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Number modèle :FGH60N60SFD
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :Négociez
Délai de livraison :1 jour
Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails
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FGH60N60SFD

600V, arrêt de champ 60A IGBT

Caractéristiques

• Capacité à forte intensité

• Basse tension de saturation : VCE (s'est reposé) =2.3V @ IC = 60A

• Impédance élevée d'entrée

• Commutation rapide

• RoHS conforme

Applications

• Chauffage par induction, UPS, SMPS, PFC

Description générale

Utilisant la technologie nouvelle de l'arrêt de champ IGBT, les nouvelles séries de Fairchild d'arrêt de champ IGBTs offrent la représentation optima pour des applications de chauffage par induction, d'UPS, de SMPS et de PFC où la basse conduction et les pertes de changement sont essentielles.

Capacités absolues

Symbole Description Estimations Unités
VCES Collecteur à la tension d'émetteur 600 V
VGES Porte à la tension d'émetteur ± 20 V
IC Courant de collecteur @ comité technique = 25℃ 120
Courant de collecteur @ comité technique = 100℃ 60
Missile aux performances améliorées (1) Courant de collecteur pulsé @ comité technique = 25℃ 180
Palladium Dissipation de puissance maximum @ comité technique = 25℃ 378 W
Dissipation de puissance maximum @ comité technique = 100℃ 151 W
TJ La température de jonction fonctionnante -55 à +150
Tstg Température ambiante de température de stockage -55 à +150
TL Temp maximum d'avance. pour le soudure, 1/8" du point de droit pendant 5 secondes 300

Notes : 1 : Essai répétitif, durée d'impulsion limitée par la température maximale de juntion

Dimensions mécaniques

TO-247AB (CODE 001 DE PAQUET DE FKS)

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