ChongMing Group (HK) International Co., Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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Original épitaxial de transistor de silicium de 2SC5242 3 Pin Transistor NPN
Transistor épitaxial 2SC5242 de silicium de NPN
Applications
• Amplificateur haute-fidélité de sortie audio
• Caractéristiques d'usage universel d'amplificateur de puissance
• Capacité à forte intensité : IC = 15A
• Dissipation de puissance élevée : 130watts
• À haute fréquence : 30MHz.
• Haute tension : VCEO=230V
• S.O.A large pour l'opération fiable.
• Excellentes linéarités de gain pour bas THD.
• Complément à 2SA1962/FJA4213.
• Les modèles thermiques et électriques d'épice sont disponibles
• Le même transistor est également disponible dedans : --Paquet TO264,
2SC5200/FJL4315 : 150 watts --Paquet TO220,
FJP5200 : 80 watts --Paquet de TO220F, FJPF5200 : 50 watts
Ratings* maximum absolu merci = 25°C sauf indication contraire
| Symbole | Paramètre | Estimations | Unités |
| BVCBO | Tension de collecteur-base | 230 | V |
| BVCEO | Tension de collecteur-émetteur | 230 | V |
| BVEBO | Tension d'Émetteur-base | 5 | V |
| IC | Courant de collecteur (C.C) | 15 | |
| IB | Courant de base | 1,5 | |
| Palladium | Dissipation totale de dispositif (TC=25°C) sous-sollicitent au-dessus de 25°C |
130 1,04 |
W W/°C |
| TJ, TSTG | Jonction et température de stockage | -50-+150 | °C |
* ces estimations sont des valeurs limites au-dessus dont l'utilité de n'importe quel dispositif de semi-conducteur peut être altérée.
Characteristics* thermique Ta=25°C sauf indication contraire
| Symbole | Paramètre | MAXIMUM. | Unité |
| RθJC | Résistance thermique, jonction à enfermer | 0,96 | W/°C |
* dispositif monté sur la taille minimum de protection