Des transistors de puissance complémentaires en plastique de silicium de DarliCM GROUPon sont conçus pour l'amplificateur d'usage universel et les applications de changement low−speed.

• Gain actuel élevé de C.C — ^hFE = 2000 (type) @ IC = 2,0 CDA

• Tension soutenante de collecteur-émetteur — @ mAdc 100

VCEO _(sus) = 60 volts continu (minute) — 2N6035, 2N6038 = 80 volts continu

(Minute) — 2N6036, 2N6039

• Capacité actuelle polarisée en aval de deuxième panne IS/b = 1,5 CDA @ 25 volts continu

• Construction monolithique avec les résistances intégrées d'émetteur de base à la multiplication de LimitELeakage

• Paquet en plastique élevé du rapport TO-225AA de Représentation-à-coût d'économie de l'espace

**ESTIMATIONS MAXIMUM**
Estimation	Symbole	Valeur	Unité
Tension 2N6034 de Collector−Emitter 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039	VCEO	40 60 80	Volts continu
Tension 2N6034 de Collector−Base 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039	VCBO	40 60 80	Volts continu
Tension d'Emitter−Base	VEBO	5,0	Volts continu
Courant de collecteur Continu Crête	IC	4,0 8,0	CDA Apk
Courant bas	IB	100	mAdc
Dissipation totale de dispositif @ comité technique = 25°C Sous-sollicitez au-dessus de 25°C	Palladium	40 320	W mW/°C
Dissipation totale de dispositif @ comité technique = 25°C Sous-sollicitez au-dessus de 25°C	Palladium	1,5 12	W mW/°C
Température ambiante de jonction d'opération et de stockage	TJ, Tstg	– 65 à +150	°C

**CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES**
Caractéristique	Symbole	Maximum	Unité
Résistance thermique, Junction−to−Case	RJC	3,12	°C/W
Résistance thermique, Junction−to−Ambient	RJA	83,3	°C/W

Les efforts dépassant des estimations maximum peuvent endommager le dispositif. Les estimations maximum sont des estimations d'effort seulement. L'opération fonctionnelle au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées n'est pas impliquée. L'exposition prolongée aux efforts au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées peut affecter la fiabilité de dispositif.

**CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES** (comité technique = 25C sauf indication contraire)
Caractéristique	Symbole	Minute	Maximum	Unité
OUTRE DES CARACTÉRISTIQUES
Tension soutenante de Collector−Emitter (IC = 100 mAdc, IB = 0) 2N6034 2N6035, 2N6038 2N6036, 2N6039	VCEO _(sus)	40 60 80	-- -- --	Volts continu
Courant de Collector−Cutoff (VCE = 40 volts continu, IB = 0) 2N6034 (VCE = 60 volts continu, IB = 0) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 volts continu, IB = 0) 2N6036, 2N6039	ICEO	-- -- --	100 100 100	uA
Courant de Collector−Cutoff (VCE = 40 volts continu, VBE () = 1,5 volts continu) 2N6034 (VCE = 60 volts continu, VBE () = 1,5 volts continu) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 volts continu, VBE () = 1,5 volts continu) 2N6036, 2N6039 (VCE = 40 volts continu, VBE () = 1,5 volts continu, comités techniques = 125C) 2N6034 (VCE = 60 volts continu, VBE () = 1,5 volts continu, comités techniques = 125C) 2N6035, 2N6038 (VCE = 80 volts continu, VBE () = 1,5 volts continu, comités techniques = 125C) 2N6036, 2N6039	ICEX	-- -- -- -- -- --	100 100 100 500 500 500	uA
Courant de Collector−Cutoff (VCB = 40 volts continu, IE = 0) 2N6034 (VCB = 60 volts continu, IE = 0) 2N6035, 2N6038 (VCB = 80 volts continu, IE = 0) 2N6036, 2N6039	ICBO	-- -- --	0,5 0,5 0,5	mAdc
Courant d'Emitter−Cutoff (VBE = 5,0 volts continu, IC = 0)	IEBO	--	2,0	mAdc
SUR DES CARACTÉRISTIQUES
Gain actuel de C.C (IC = 0,5 CDA, VCE = 3,0 volts continu) (IC = 2,0 CDA, VCE = 3,0 volts continu) (IC = 4,0 CDA, VCE = 3,0 volts continu)	^hFE	500 750 100	-- 15 000 --	--
Tension de saturation de Collector−Emitter (IC = 2,0 CDA, IB = mAdc 8,0) (IC = 4,0 CDA, IB = mAdc 40)	VCE _{(s'est reposé)}	-- --	2,0 3,0	Volts continu
Tension de saturation de Base−Emitter (IC = 4,0 CDA, IB = mAdc 40)	VBE _{(s'est reposé)}	--	4,0	Volts continu
Base−Emitter sur la tension (IC = 2,0 CDA, VCE = 3,0 volts continu)	VBE _(dessus)	--	2,8	Volts continu
CARACTÉRISTIQUES DYNAMIQUES
Small−Signal Current−Gain (IC = 0,75 CDA, VCE = 10 volts continu, f = 1,0 mégahertz)	\|hfe\|	25	--	--
Capacité de sortie (VCB = 10 volts continu, IE = 0, f = 0,1 mégahertz) 2N6034, 2N6035, 2N6036 2N6038, 2N6039	Épi	-- --	200 100	PF

Les *Indicates JEDEC ont enregistré des données.

Inquiry Cart 0

Transistor MOSFET complémentaire en plastique de puissance de DarliCM GROUPon, transistors de puissance de silicium 2N6038

Puce d'IC de mémoire instantanée

Puce programmable d'IC

L'ordinateur IC ébrèche

Conducteur ICs de LED

Gestion IC de puissance

Puces de circuit intégré

Unité de microcontrôleur de MCU

Conducteur ICs d'affichage

Module d'alimentation d'IGBT

L'amplificateur IC ébrèche

Puces électroniques d'IC

Composants électroniques

Transistor MOSFET complémentaire en plastique de puissance de DarliCM GROUPon, transistors de puissance de silicium 2N6038