ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd
GROUPE DE CHONGMING (HK) CIE. INTERNATIONALE, LTD.
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Caractéristiques
• À faible intensité (maximum 100 mA).
• Basse tension (maximum 65 V).
Ventres de capacités absolues = 25°C
| Paramètre | Symbole | BC846 | BC847 | BC848 | Unité |
| Tension de collecteur-base | VCBO | 80 | 50 | 30 | V |
| Tension de collecteur-émetteur | VCEO | 65 | 45 | 30 | V |
| tension d'Émetteur-base | VEBO | 6 | 6 | 5 | V |
| Courant de collecteur | IC | 100 | mA | ||
| Courant de collecteur maximal | Missile aux performances améliorées | 200 | mA | ||
| Courant bas maximal | IBM | 200 | mA | ||
| Dissipation de puissance totale * | Ptot | 250 | mW | ||
| La température de jonction | Tj | 150 | °C | ||
| Température de stockage | Tstg | -65 à +150 | °C | ||
| Température ambiante fonctionnante | Ramb | -65 à +150 | °C | ||
| Résistance thermique de jonction à ambiant * | J-a de Rth | 500 | K/W | ||
* le transistor a monté sur un panneau du circuit imprimé FR4, empreinte de pas standard.