ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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MAILLE rapide même IGBT de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance STGB7NC60HDT4

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MAILLE rapide même IGBT de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance STGB7NC60HDT4

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Number modèle :STGB7NC60HDT4
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :7800pcs
Délai de livraison :1 jour
Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails
Description :IGBT 600 V 25 A 80 W Montage en surface D2PAK
Tension de collecteur-émetteur :600 V
Tension d'Émetteur-collecteur :20 V
tension de Porte-émetteur :±20 V
Courant de collecteur (pulsé) :50 A
Courant en avant de la diode RMS à comité technique = 25°C :20 A
Température de stockage :– °C 55 à 150
La température de jonction fonctionnante :– °C 55 à 150
Dissipation totale à comité technique = 25°C :80 W
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Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
DS1245Y-100 1002 DALLAS 15+ TO-92
DS1990A-F5 1002 MAXIME 16+ BOÎTE
ICL7135CPIZ 1002 INTERSIL 16+ IMMERSION
IRFP150NPBF 5000 IR 14+ TO-247
IRFP260NPBF 5000 IR 14+ TO-247
K847P 1002 VISHAY 14+ DIP16
LM301AN 1002 NS 16+ DIP8
LM35DT 1002 NS 16+ TO-220
MC34074AP 1002 SUR 13+ DIP14
TC962CPA 1002 PUCE 15+ DIP8
VB125ASP 1002 STM 16+ SOP-10
LT1084CT-12 1005 LT 16+ TO220
XC2C64A-7VQG44C 1005 XILINX 14+ QFP44
30344 560 BOSCH 14+ QFP
AT93C66A-10SQ-2.7 1008 ATMEL 14+ SOP8
NCP1200AP40 1008 SUR 16+ DIP8
PCA82C250T/N4,118 3000 16+ SOP8
ADM5120PX-AB-T-2 1009 13+ QFP208
TDA8950J 1011 15+ ZIP23
HT8950 1012 HOLTEK 16+ IMMERSION
TDA7384 1012 St 16+ FERMETURE ÉCLAIR
CS5550-ISZ 1022 CIRRUS 14+ SSOP24
LF412CN 1022 NS 14+ DIP8
IR21141SSPBF 1031 IR 14+ SSOP24
XCF04SVOG20C 1034 XILINX 16+ CONCESSION
MC34084P 1050 SUR 16+ DIP-14
DAC1220E 1077 TI 13+ SSOP16
AT91SAM7X256-AU 1088 ATMEL 15+ QFP
74LVX4245MTCX 1100 FSC 16+ TSSOP
ADM2582EBRWZ 1100 ANNONCE 16+ SOP-20

STGP7NC60HD

STGF7NC60HD - STGB7NC60HD

N-CANAL 14A - 600V - ² PAK de TO-220/TO-220FP/D

PowerMESH™ très rapide IGBT

BAISSE INFÉRIEURE d'ON-VOLTAGE (Vcesat)

■OUTRE DES PERTES INCLUEZ LE COURANT DE QUEUE

■LES PERTES INCLUENT L'ÉNERGIE DE RÉCUPÉRATION DE DIODE

■ABAISSEZ LE RAPPORT DE CRES/CIES

■OPÉRATION À HAUTE FRÉQUENCE JUSQU'À 70 kilohertz

■ANTI DIODE PARALLÈLE DE RÉCUPÉRATION ULTRA-RAPIDE DOUCE MÊME

■PRODUITS DE NOUVELLE GÉNÉRATION AVEC UNE DISTRIBUTION PLUS SERRÉE DE PARAMÈTRE

DESCRIPTION

Utilisant la dernière technologie à haute tension basée sur une disposition brevetée de bande, STMicroelectronics a conçu une famille avancée d'IGBTs, le PowerMESH™ IGBTs, avec des représentations exceptionnelles. Le suffixe « H » identifie une famille optimisée pour des applications à haute fréquence afin de réaliser des représentations de changement très élevées (tfall réduit) mantaining une baisse de basse tension.

APPLICATIONS

INVERSEURS À HAUTE FRÉQUENCE

■SMPS ET PFC DANS LES LES DEUX COMMUTATEUR DUR ET TOPOLOGIES RÉSONNANTES

■CONDUCTEURS DE MOTEUR

Capacités absolues

Symbole Paramètre Valeur Unité

STGP7NC60HD

STGB7NC60HD

STGF7NC60HD
VCES Tension de collecteur-émetteur (VGS = 0) 600 V
VECR Tension d'Émetteur-collecteur 20 V
VGE Tension de Porte-émetteur ±20 V
IC Courant de collecteur (continu) à comité technique = 25°C (#) 25 10
IC Courant de collecteur (continu) à comité technique = 100°C (#) 14 6
Missile aux performances améliorées (? 1) Courant de collecteur (pulsé) 50
SI Courant en avant de la diode RMS à comité technique = 25°C 20
PTOT Dissipation totale à comité technique = 25°C 80 25 W
Sous-sollicitation du facteur 0,64 0,20 W/°C
VISO

C.A. de tension de tenue d'isolation.

(t = 1 sec ; Comité technique = 25°C)

- 2500 V
Tstg Température de stockage – 55 à 150 °C
Tj La température de jonction fonctionnante

(1 ?) durée d'impulsion limitée par la température de jonction maximale.

Le schéma 1 : Paquet

Le schéma 2 : Schéma de principe interne

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