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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MsDoris Guo

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Transistor de changement complémentaire de transistor MOSFET de puissance de NJW0302G, NPN - transistors bipolaires de puissance de PNP

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Number modèle :NJW0302G

Point d'origine :Le Japon

Quantité d'ordre minimum :50pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :5200PCS

Délai de livraison :1 jour

Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails

VCEO :250 volts continu

VCBO :250 volts continu

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Transistors bipolaires de puissance complémentaire de NPN-PNP

Ces dispositifs complémentaires sont des versions de puissance faible des transistors de NJW3281G et de NJW1302G de sortie audio populaire. Avec des linéarités de gain et la représentation supérieures de secteur de fonctionnement sûr, ces transistors sont idéaux pour les étapes de haute fidélité de sortie d'amplificateur audio et d'autres applications linéaires.

Caractéristiques

•Région exceptionnelle d'opération sûre

•Gain de NPN/PNP s'assortissant à moins de 10% de 50 mA à 3 A

•Excellentes linéarités de gain

•Haut BVCEO

•À haute fréquence

•Ce sont les dispositifs sans Pb Bene

Avantages

•Représentation fiable à des puissances plus élevées

•Caractéristiques symétriques dans des configurations complémentaires •Reproduction précise de signal d'entrée

•Une plus grande dynamique

•Haut appli de largeur de bande d'amplificateur

ESTIMATIONS MAXIMUM

Estimation	Symbole	Valeur	Unité
Tension de collecteur-émetteur	VCEO	250	Volts continu
Tension de collecteur-base	VCBO	250	Volts continu
Tension d'Émetteur-base	VEBO	5,0	Volts continu
Tension de collecteur-émetteur - 1,5 V	VCEX	250	Volts continu

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