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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MsDoris Guo

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Transistors de transistor MOSFET de puissance élevée de transistor de transistor MOSFET de puissance d'IRF7240TRPBF

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Number modèle :IRF7240TRPBF

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :20pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :8600pcs

Délai de livraison :1 jour

Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails

Description :Transistor MOSFET P-CH 40V 10.5A 8SO

Tension de source de drain :-40 V

Courant continu de drain :-10,5 A

Courant pulsé de drain :-43 A

Dissipation de puissance :2,5 W

Facteur de sous-sollicitation linéaire :20 mW/°C

Tension de Porte-à-source :± 20 V

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Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.

Quantité

Marque

D/C

Paquet

NDT456P	5000	FAIRCHILD	16+	SOP8
OB2268CCPA	5000	OB	16+	SOP8
P2003EVG	5000	NIKOS	13+	SOP8
P6SMB27CA	5000	VISHAY	15+	SMB
P89LPC932A1FDH	5000		16+	TSSOP
PC400J00000F SOP-5	5000	DIÈSE	16+	SOP-5
PIC16C711-04/P	5000	PUCE	14+	DIP-18
PIC16F716-I/P	5000	PUCE	14+	DIP-18
PIC16F84A-04I/SO	5000	PUCE	14+	SOP18
PIC16F886-I/SP	5000	PUCE	16+	IMMERSION
PIC18F4431-I/PT	5000	PUCE	16+	TQFPQFP
RFD15P05SM	5000	INTERSIL	13+	TO-252
RT8010GQW	5000	RICHTEK	15+	WDFN
SFH6156-4	5000	VISHAY	16+	SOP4
SI4880DY-T1-E3	5000	VISHAT	16+	SOP-8
SLF6028T-100M1R3-PF	5000	TDK	14+	SMD
SM15T15A	5000	St	14+	DO-214AB
SM6S24A	5000	VISHAY	14+	DO-218
SMAJ15A	5000	VISHAY	16+	SOD-214A
SMBJ6.0A	5000	VISHAY	16+	SMB
SMCJ54A-E3	5000	VISHAY	13+	DO-214A
SN74AHC123ADR	5000	TI	15+	SOP-16
SN74HC132N	5000	TI	16+	CONCESSION
TI 0401 DE SN74HC148N	5000	TI	16+	SOP-16
ST232ABDR	5000	St	14+	SMD
ST232CWR	5000	St	14+	SOP16
STM8S103F2P6	5000	St	14+	SSOP
STP75NF75	5000	St	16+	TO-220
STTH1R06U	5000	St	16+	SMB
STU309D	5000	SAMHOP	13+	SOT-252

IRF7240PbF

HEXFET ? Transistor MOSFET de puissance

Sur-résistance très réduite ?
Transistor MOSFET de P-canal ?
Bâti extérieur ?
Disponible dans la bande et la bobine ?
Sans plomb

VDSS	Le RDS _(dessus) maximum	Identification
-40V	0.015@VGS = -10V	-10.5A
-40V	0.025@VGS = -4.5V	-8.4A

Description

Ces transistors MOSFET de P-canal de redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet avantage fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace pour l'usage dans des applications de gestion de batterie et de charge.

Le SO-8 a été modifié par un leadframe adapté aux besoins du client pour des caractéristiques augmentées et la capacité thermiques de multiple-matrice le rendant idéal dans un grand choix d'applications de puissance. Avec ces améliorations, des dispositifs multiples peuvent être utilisés dans une application avec l'espace nettement réduit de conseil. Le paquet est conçu pour la phase vapeur, l'infrarouge, ou la technique de soudure de vague

? Capacités absolues

	Paramètre	Maximum.	Unités
VDS	Tension de source de drain	-40	V
VENTRES d'IDENTIFICATION @ = 25°C	Courant continu de drain, VGS @ -10V	-10,5
VENTRES d'IDENTIFICATION @ = 70°C	Courant continu de drain, VGS @ -10V	-8,6
IDM	Courant pulsé de drain	-43
Palladium @TA = 25°C	Dissipation de puissance	2,5	W
Palladium @TA = 70°C	Dissipation de puissance	1,6	W
	Facteur de sous-sollicitation linéaire	20	mW/°C
VGS	Tension de Porte-à-source	± 20	V
TJ, TSTG	Température ambiante de jonction et de température de stockage	-55 + à 150	°C

Contour du paquet SO-8

Des dimensions sont montrées dans les millimètres (pouces)

Inscription de la partie SO-8

EXEMPLE : C'EST UN IRF7101 (LE TRANSISTOR MOSFET)

Bande SO-8 et bobine

Des dimensions sont montrées dans les millimètres (pouces)

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