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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MsDoris Guo

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60V N - transistor MOSFET de changement FDS9945 de puissance de transistor MOSFET de fossé de puissance de la Manche

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Chaîne vidéo

Number modèle :FDS9945

Point d'origine :original

Quantité d'ordre minimum :5pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :290PCS

Délai de livraison :1 jour

Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails

Description :Bâti extérieur 8-SOIC de la rangée 60V 3.5A 1W de transistor MOSFET

Tension de Drain-source :60 V

Tension de Porte-source :±20 V

Drain Curren :3,5 A

Dissipation de puissance pour l'opération simple :2 W

Température ambiante de jonction d'opération et de stockage :°C -55 à +175

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BULLETIN DE LA COTE

MSP3420GB8V3	6596	MSP	15+	IMMERSION
LTV8141	10000	LITEON	16+	IMMERSION
MAX6301CSA	4076	MAXIME	16+	CONCESSION
LM2841XBMKX	10188	NSC	15+	SOT-23-5
LMC7111BIM5	10000	NSC	14+	SOT-23-5
LM3876T	543	NSC	13+	ZIP-11
LMC6062AIM	4239	NSC	14+	SOP-8
LMV431BIMF	10000	NSC	15+	SOT-23
MAX8682ETM	5146	MAXIME	16+	QFN
LMC6572BIM	4338	NSC	14+	SOP-14
LMC6482IMX	2999	NSC	15+	SOP-8
LM7301IM5	4926	NSC	15+	SOT-23-5
PAL007A	3260	Transistor MOSFET	14+	FERMETURE ÉCLAIR
MS5540-CM	6519	MEASUYEME	16+	SMD
88AP270MA2-BHE1C520	320	MARVELL	15+	BGA
MT9171AN	7471	ZARLINK	16+	SSOP
MRF184	6393	MOT	14+	SMD
MURS140	25000	SUR	16+	DO-214
BGY68	3500		14+	MOKUAI
PESD5V2S2UT	25000		16+	IVROGNE
LM26CIM5-TPA	5000	NSC	14+	SOT-23-5
CM1200HB-66H	213	MITSUBI	14+	MODULE
LPC11C24FBD48	4833		15+	LQFP-48
CM30TF-24H	313	MITSUBI	15+	MODULE
7MBR50SB120	230	FUJI	12+	MODULE
MAX209EWG	7850	MAXIME	14+	CONCESSION
LXT970AQC	4907	LEVELONE	10+	QFP
MSP430FG4619IPZ	6834	TI	16+	LQFP
NCP1052ST136T3G	9280	SUR	16+	SOT-223
MAX17121ETG	6550	MAXIME	16+	QFN
MAC97A6	25000	SUR	16+	TO-92
MPC89E58AF	5910	MEGAWIN	16+	PQFP
CS4398-CZZR	2234	CIRRUS	15+	TSSOP
LC4064V-75TN100-10I	3070	TRELLIS	15+	QFP
ME0550-02DA	595	IXYS	14+	IGBT
MDD26-14N1B	5902	IXYS	16+	IGBT
MT9V024IA7XTM	2499	SUR	15+	BGA
MCC21-1408B	4756	IXYS	14+	IGBT
CM100DU-24NFH	378	MITSUBI	15+	MODULE
6RI100E-080	958	FUJI	15+	MODULE
PM150RSD060	250	MITSUBISH	10+	MOUDLE
PK160F-160	120	SANREX	11+	MODULE
LC540	3081	TI	15+	TSSOP
OP20FZ	596	ANNONCE	16+	CDIP
PCA9554PWR	12420	TI	16+	TSSOP
M1494NC180	479	WESTCODE	14+	MODULE
LM4890MM	30000	NSC	15+	MSOP-8
MHW6342T	6304	MOT	15+	CATV
CM450HA-5F	233	MITSUBI	14+	MODULE
PM200RSD060	230	MITSUBISH	05+	MOUDLE
PM200RSA060	120	MITSUBISH	13+	MOUDLE
MSM5219BGS-K-7	550	OKI	14+	QFP
PS11003-C	500	MITSUBISH	12+	MODULE
MB87020PF-G-BND	3531	FUJITSU	14+	QFP
MA2820	7689	SHINDENG	16+	FERMETURE ÉCLAIR
7MBP150RTB060	210	FUJI	12+	MODULE
MBM200HS6B	629	HITACHI	14+	MODULE
PM25RSK120	320	MITSUBISH	10+	MOUDLE
QM150DY-H	150	MITSUBISH	13+	MODULE
PWB130A40	120	SANREX	14+	MODULE
LA1185	3928	SANYO	14+	SIP9

FDS9945

transistor MOSFET de changement de puissance de transistor MOSFET de PowerTrench du N-canal 60V

Caractéristiques

· 3,5 A, 60 V. le RDS (DESSUS) = 0.100W @ VGS = 10 V le RDS (DESSUS) = 0.200W @ VGS = 4.5V

· Optimisé pour l'usage en commutant des convertisseurs de DC/DC avec des contrôleurs de PWM

· Commutation rapide même

· Basse charge de porte.

Description générale

Ces le transistor MOSFET de niveau de logique de la Manche de N ont été conçus spécifiquement pour améliorer la performance globale des convertisseurs de DC/DC utilisant les contrôleurs synchrones ou conventionnels de la commutation PWM.

La commutation plus rapide de caractéristique de transistor MOSFET et la charge inférieure de porte que l'autre transistor MOSFET avec des caractéristiques comparables du RDS (dessus)

Le résultat est un transistor MOSFET il est facile et plus sûr conduire que

(même aux hautes fréquences mêmes), et conceptions d'alimentation d'énergie de DC/DC avec une performance globale plus élevée.

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