Triacs sensibles d'Alternistor de transistor de transistor MOSFET de puissance de porte de triacs du transistor MOSFET IC de la puissance Q6012LH5

Triacs d'Alternistor (6 A à 40 A)

Description générale

Teccor offre des alternistors bidirectionnels avec des estimations actuelles de 6 A à 40 A et tensions de 200 V à 1000 V en tant qu'élément de la grande ligne de Teccor des thyristors. L'alternistor de Teccor est spécifiquement conçu pour les applications qui commutent les charges fortement inductives. Une puce spéciale offre la même représentation en tant que parallèle inverse de câble de deux thyristors (thyristors) (dos à dos), fournissant un meilleur comportement d'arrêt qu'un triac standard. Un alternistor peut être déclenché d'un blocage à l'état de conduction pour l'un ou l'autre de polarité de tension CA appliquée avec des modes opérationnels dans les quarts de cercle I, II, et III.

Cette nouvelle construction de puce fournit deux électriquement structures distinctes de thyristor, fournissant des caractéristiques augmentées de dv/dt tout en maintenant les avantages d'un dispositif d'un seul morceau.

Tous les alternistors verre-ont passivé des jonctions pour assurer la stabilité à long terme de fiabilité et de paramètre. Les jonctions verre-passivées de Teccor offrent une barrière fiable contre la contamination de jonction.

Le paquet du TO-218X de Teccor est conçu pour la capacité powerhandling lourde et régulière. Il comporte de grands terminaux d'oeillet pour la facilité de souder le fil lourd de liaison de mesure. Tous les paquets d'isolement ont une estimation standard de tension d'isolement de 2500 V RMS.

Les variations des dispositifs couverts en cette fiche technique sont disponibles pour conçoivent des applications en fonction du client. Consultez l'usine pour de plus amples informations.

Caractéristiques

• Capacité élevée de courant de montée subite

• jonctions Verre-passivées

• Isolement à C.A. de 2500 V pour des paquets de L, de J, et de K

• Haut dv/dt de commutation

• Haut dv/dt statique

Conditions d'essai

di/dt — Taux-de-changement maximum du courant de sur-état

dv/dt — Taux-de-hausse critique de tension hors état à la porte évaluée de VDRM ouverte

dv/dt (c) — Taux-de-hausse critique de tension de commutation à VDRM évalué et à service informatique (RMS) commutant di/dt = 0,54 services informatiques évalués (RMS) /ms ; porte unenergized

I ² t — Sur-état (non répétitif) de montée subite de RMS actuel pour la période de Mme 8,3 pour la fusion

IDRM — Porte actuelle hors état maximale ouverte ; VDRM = valeur évaluée maximum

IGT — Déclencheur de porte de C.C actuel dans les quarts de cercle fonctionnants spécifiques ; VD de = C.C 12 V

IGTM — Courant maximal de déclencheur de porte

IH — Courant de participation (C.C) ; porte ouverte

SERVICE INFORMATIQUE _(RMS) — Angle actuel de conduction de sur-état de RMS de 360°

ITSM — Montée subite maximale d'un-cycle

PAGE _{(POIDS DU COMMERCE)} — Dissipation de puissance moyenne de porte

PGM — Dissipation de puissance maximale de porte ; _≦ IGTM D'IGT

tgt — Temps d'ouverture commandé de porte ; IGT = 300 mA avec 0,1 temps de montée de µs

VDRM — Tension de blocage répétitive de crête

VGT — Tension de déclencheur de porte de C.C ; VD de = C.C 12 V

VTM — Tension maximale de sur-état au courant évalué maximum de RMS