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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

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China Transistor à large bande d'usage universel du transistor NPN 7GHz de transistor MOSFET de puissance de transistor du npn BFG135 wholesale

Transistor à large bande d'usage universel du transistor NPN 7GHz de transistor MOSFET de puissance de transistor du npn BFG135

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Number modèle :BFG135

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :10pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :6800pcs

Délai de livraison :1 jour

Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails

Description :Bâti extérieur SC-73 du transistor NPN 15V 150mA 7GHz 1W de rf

Tension de collecteur-base :25 V

Tension de collecteur-émetteur :15 V

tension d'Émetteur-base :2 V

Courant de collecteur de C.C :150 mA

Dissipation de puissance totale :1 W

Température de stockage :−65 au °C 150

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BFG135

Transistor à large bande de NPN 7GHz

DESCRIPTION

Transistor épitaxial planaire de silicium de NPN sous enveloppe SOT223 en plastique, destinée aux applications à large bande d'amplificateur. Les petites structures d'émetteur, avec les résistances de émetteur-lestage intégrées, assurent les capacités à haute production de tension à un niveau bas de déformation.

La distribution des secteurs actifs à travers la surface du dispositif donne un excellent profil de température.

VALEURS LIMITES

Selon le système maximum absolu (le CEI 134).

SYMBOLE	PARAMÈTRE	CONDITIONS	Mn.	MAXIMUM.	UNITÉ
VCBO	tension de collecteur-base	émetteur ouvert	-	25	V
VCEO	tension de collecteur-émetteur	base ouverte	-	15	V
VEBO	tension d'émetteur-base	collecteur ouvert	-	2	V
IC	Courant de collecteur de C.C		-	150	mA
Ptot	dissipation de puissance totale	jusqu'à solides totaux = °C 145 (note 1)	-	1	W
Tstg	température de stockage		-65	155	°C
Tj	la température de jonction		-	175	°C

Les solides totaux de la note 1. est la température au point de soudure du collecteur tableau.

GOUPILLER

PIN	DESCRIPTION
1	émetteur
2	base
3	émetteur
4	collecteur

Déformation d'intermodulation et circuit d'essai de déformation d'intermodulation du second degré.

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.

Q'ty

MFG

D/C

Paquet

AD8626ARZ	4340	ANNONCE	15+	SOP-8
AD8227ARMZ	4330	ANNONCE	14+	MSOP-8
MCHC908QT4CDWE	4328	FREESCALE	13+	SOIC
AD8561ARUZ	4327	ANNONCE	14+	TSSOP-8
LM75CIMX-5	4325	NSC	14+	SOP-8
ADR395BUJZ	4324	ANNONCE	15+	SOT23
LNK362PN	4323	PUISSANCE	15+	DIP-7
LT1376CS8	4321	LINÉAIRE	14+	SOP-8
LPC2103FBD48	4318		15+	LQFP-48
AD9927BBCZ	4318	ANNONCE	14+	LCSP88
ADUM1401BRWZ	4315	ANNONCE	14+	SOP16
ADG819BRMZ	4312	ANNONCE	15+	MSOP8
ADP2303ARDZ	4309	ANNONCE	15+	SOP8
MIC29302BU	4308	MICREL	05+	TO-263
PIC18F26K22-I/SO	4305	PUCE	15+	CONCESSION
MC908QT1ACDWE	4302	FREESCALE	15+	CONCESSION
MC33879APEK	4300	FREESCALE	14+	SOIC
MC10EL07DR2G	4300	SUR	15+	SOP-8
MAX660MX	4300	NSC	12+	SOP-8
MAX3238CDBR	4300	TI	15+	SSOP
BTA225-800B	4300		14+	TO-220A

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