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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

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Transistors P de transistor MOSFET de la puissance SI2301CDS-T1-E3 élevée - transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S)

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China Transistors P de transistor MOSFET de la puissance SI2301CDS-T1-E3 élevée - transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S) wholesale
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Transistors P de transistor MOSFET de la puissance SI2301CDS-T1-E3 élevée - transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S)
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Number modèle :SI2301CDS-T1-E3
Point d'origine :Philippines
Quantité d'ordre minimum :20
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :20000
Délai de livraison :1
Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails
Description :P-canal 20 V 3.1A (comité technique) 860mW (merci), 1.6W (comité technique) bâti SOT-23-3 (TO-236) d
Vds :- 20 V
Vgs :± 8 V
Identification :-3,1 A
DM :- 10 A
est :-3,1 A
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SI2301CDS - T1 - transistors P de transistor MOSFET de la puissance E3 élevée - transistor MOSFET de la Manche 20-V (D-S)

Transistor MOSFET du P-canal 20-V (D-S)

CARACTÉRISTIQUES

• option sans halogène disponible

• Transistor MOSFET de puissance de TrenchFET®

APPLICATIONS

• Commutateur de charge

RÉSUMÉ DE PRODUIT DE TRANSISTOR MOSFET
VDS (v) Le RDS (dessus) (Ω) Identification (A) a Qg (type.)
- 20 0,112 à VGS = - 4,5 V - 3,1 3,3 OR
0,142 à VGS = - 2,5 V - 2,7

°C TYPIQUE des CARACTÉRISTIQUES 25, sauf indication contraire

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