La TENSION de transistor de transistor MOSFET de puissance de MLP1N06CLG A MAINTENU le mosfe LIMITEUR ACTUEL de puissance des transistors rf de transistor MOSFET de puissance élevée de transistor MOSFET

Intérieurement maintenu, transistor MOSFET de puissance de niveau de logique de N-canal de Current Limited

Ces dispositifs de SMARTDISCRETES comportent la limitation actuelle pour la protection de court-circuit, une bride intégrale de porte-à-source pour la protection d'ESD et la bride de porte-à-drain pour la protection de surtension. Aucune résistance de série supplémentaire de porte n'est exigée quand l'interface à la sortie d'un MCU, mais à une résistance d'avancement du film de porte de 40 kΩ est recommandée pour éviter un état de flottement de porte.

Les brides internes de porte-à-source et de porte-à-drain permettent aux dispositifs d'être appliqués sans utilisation des composants passagers externes de suppression. Porte-à la bride de source protège l'entrée de transistor MOSFET contre des contraintes de tension électrostatiques de porte jusqu'à 2,0 kilovolts. La bride de porte-à-drain protège le transistor MOSFET s'écoulent les efforts d'avalanche de drain qui se produisent avec les charges inductives. Cette conception unique fournit le fixage de tension qui est essentiellement indépendant de température de fonctionnement.

• La bride à température compensée de Porte-à-drain limite la contrainte de tension appliquée au dispositif et protège la charge contre la surtension

• Protection intégrée de diode d'ESD

• La commutation commandée réduit au minimum des IFR

• La basse tension de seuil permet les charges de interface de puissance aux microprocesseurs

ESTIMATIONS MAXIMUM

BULLETIN DE LA COTE