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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

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China Le module de transistor MOSFET de la puissance MRF9030GNR1 actionnent des TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE du transistor rf de transistor MOSFET wholesale

Le module de transistor MOSFET de la puissance MRF9030GNR1 actionnent des TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP de PUISSANCE du transistor rf de transistor MOSFET

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Number modèle :MRF9030

Point d'origine :Usine originale

Quantité d'ordre minimum :10pcs

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :7800pcs

Délai de livraison :1 jour

Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails

Description :MOUETTE du transistor MOSFET TO-270-2 de rf

Tension de Drain-source :68 volts continu

Tension de Porte-source :– 0,5, +15 volts continu

Température ambiante de température de stockage :– °C 65 à +200

La température de jonction fonctionnante :200 °C

Capacité d'entrée :49,5 PF

Capacité de sortie :26,5 PF

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La ligne submicronique de transistor MOSFET de rf

TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE DE RF

Transistors MOSFET latéraux d'Amélioration-mode de N-canal

945 mégahertz, 30 W, 26 transistors MOSFET À BANDE LARGE de PUISSANCE du N-CANAL rf de PARTIE LATÉRALE de V

Conçu pour des applications commerciales et industrielles à bande large avec des fréquences jusqu'à 1,0 gigahertz. La représentation à gain élevé et à bande large de ces dispositifs les rendent idéaux pour le grand-signal, applications d'amplificateur de commun-source dans l'équipement de station de base de 26 volts.

• Deux typiques Tone Performance à 945 mégahertz, 26 volts

De puissance de sortie — 30 watts de PEP

Gain en puissance — DB 19

Efficacité — 41,5%

IMD — – dBc 32,5

• Protection intégrée d'ESD

• Conçu pour la planéité maximum de phase de gain et d'insertion

• Capable de manipuler le 10:1 VSWR, @ 26 volts continu, 945 mégahertz, 30 watts d'onde entretenue de puissance de sortie

• Excellente stabilité thermique

• Caractérisé avec des paramètres équivalents d'impédance de Grand-signal de série

• Dans la bande et la bobine. Suffixe R1 = 500 unités par 32 millimètres, bobine de 13 pouces.

ESTIMATIONS MAXIMUM

Estimation	Symbole	Valeur	Unité
Tension de Drain-source	VDSS	68	Volts continu
Tension de Porte-source	VGS	– 0,5, +15	Volts continu
Dissipation totale de dispositif @ comité technique = 25°C MRF9030R1 Sous-sollicitez au-dessus de 25°C	Palladium	92 0,53	Watts W/°C
Dissipation totale de dispositif @ comité technique = 25°C MRF9030SR1 Sous-sollicitez au-dessus de 25°C	Palladium	117 0,67	Watts W/°C
Température ambiante de température de stockage	Tstg	– 65 à +200	°C
La température de jonction fonctionnante	TJ	200	°C

DIMENSIONS DE PAQUET

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce.

Q'ty

MFG

D/C

Paquet

BFU710F	15000		15+	SOT-343
PIC16F526-I/SL	5193	PUCE	16+	CONCESSION
LM810M3X-4.63	10000	NSC	15+	SOT-23-3
M95020-WMN6TP	10000	St	16+	CONCESSION
M93S46-WMN6	4686	St	10+	CONCESSION
MCT61	10000	FSC	16+	DIP-8
MAX809LEUR+T	10000	MAXIME	16+	IVROGNE
52271-2079	3653	MOLEX	15+	connecteur
ZVP3306FTA	9000	ZETEX	15+	SOT23
MBR10100G	15361	SUR	16+	TO-220
NTR2101PT1G	38000	SUR	16+	SOT-23
MBRD640CTT4G	17191	SUR	16+	TO-252
NTR4501NT1G	38000	SUR	15+	SOT-23
LM8272MMX	1743	NSC	15+	MSOP-8
NDT014	10000	FAIRCHILD	14+	SOT-223
LM5007MM	1545	NSC	14+	MSOP-8
NRF24L01+	3840	NORDIQUE	10+	QFN
MI1210K600R-10	30000	ADMINISTRATEUR	16+	SMD
A3144E	25000	ALLÉGRO	13+	TO-92
MP3V5004DP	5784	FREESCALE	13+	CONCESSION

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