ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd
GROUPE DE CHONGMING (HK) CIE. INTERNATIONALE, LTD.
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Le transistor linéaire 2N5458 JFETs de transistor MOSFET de puissance a mené des puces d'IC de télévisions
Épuisement d'usage universel de − de N−Channel de − de JFETs
Transistors à effet de champ de jonction de N−Channel, mode d'épuisement (type A) conçu pour des applications audio et commutantes.
Caractéristiques
• N−Channel pour plus à gain élevé
• Drain et source interchangeables
• Impédance élevée d'entrée à C.A.
• Résistance d'entrée élevée de C.C
• Basse capacité de transfert et d'entrée
• Basse déformation de Cross−Modulation et d'intermodulation
• Paquet encapsulé en plastique d'Unibloc • Les paquets de Pb−Free sont Available*
| Estimation | Symbole | Valeur | Unité |
| Tension de Drain−Source | VDS | 25 | Volts continu |
| Tension de Drain−Gate | VDG | 25 | Volts continu |
| Tension inverse de Gate−Source | VGSR | −25 | Volts continu |
| Courant de porte | IG | 10 | mAdc |
| La dissipation totale de dispositif @ MERCI = 25°C sous-sollicitent au-dessus de 25°C | Palladium | 310 2,82 | mW mW/°C |
| La température de jonction fonctionnante | TJ | 135 | °C |
| Température ambiante de température de stockage | Tstg | −65 à +150 | °C |
Les efforts dépassant des estimations maximum peuvent endommager le dispositif. Les estimations maximum sont des estimations d'effort seulement. L'opération fonctionnelle au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées n'est pas impliquée. L'exposition prolongée aux efforts au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées peut affecter la fiabilité de dispositif
L'INFORMATION DE COMMANDE
Expédition de paquet de dispositif
unités de 2N5457 TO−92 1000/boîte
unités de 2N5458 TO−92 1000/boîte
2N5458G TO−92 (Pb−Free) 1000 unités/boîte