ChongMing Group (HK) International Co., Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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Mettez-vous les transistors en court-circuit Autoprotected VND3NV0413TR de transistor MOSFET de puissance
Caractéristiques
| Type | Le RDS (dessus) | Ilim | Vclamp |
|
VNN3NV04 VNS3NV04 VND3NV04 VND3NV04-1 |
mΩ 120 | 3,5 A | 40 V |
■Limitation actuelle linéaire
■Arrêt thermique
■Protection de court-circuit
■Bride intégrée
■À faible intensité tiré de la goupille d'entrée
■Retour diagnostique par la goupille d'entrée
■Protection d'ESD
■Accès direct à la porte du transistor MOSFET de puissance (entraînement d'analogue)
■Compatible avec le transistor MOSFET standard de puissance conformément. - à la directive 2002/95/E européenne
Description
Les VNN3NV04, VNS3NV04, VND3NV04 VND3NV04-1, sont les dispositifs monolithiques conçus en technologie de STMicroelectronics VIPower M0-3, destinée au remplacement des transistors MOSFET standard de puissance du C.C des applications de jusqu'à 50 kilohertz. Construit dans l'arrêt thermique, la limitation actuelle linéaire et la bride de surtension pour protéger la puce dans les environnements durs.
Le retour de défaut peut être détecté en surveillant la tension à la goupille d'entrée.
Résumé de dispositif
| Paquet | Codes d'ordre | |||
| Tube | Tube (sans plomb) | Bande et bobine | Attachez du ruban adhésif et tournoyez (sans plomb) | |
| SOT-223 | VNN3NV04 | - | VNN3NV0413TR | - |
| SO-8 | VNS3NV04 | - | VNS3NV0413TR | - |
| TO-252 | VND3NV04 | VND3NV04-E | VND3NV0413TR | VND3NV04TR-E |
Schéma fonctionnel et description de goupille