ChongMing Group (HK) International Co., Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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Très réduit sur le transistor MOSFET IC IRLML6402TRPBF de puissance de la résistance HEXFET
* Sur-résistance très réduite
* transistor MOSFET de P-canal
* empreinte de pas SOT-23
* profil bas (<1>
* disponible dans la bande et la bobine
* commutation rapide ? ? ? ? ?
Ces transistors MOSFET de P-canal de redresseur international utilisent des techniques de traitement avancées pour réaliser extrêmement - le bas onresistance par secteur de silicium. Cet avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et la conception robuste de dispositif pour lesquelles les transistors MOSFET de puissance de HEXFET® sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans la gestion de batterie et de charge.
Un grand leadframe thermiquement augmenté de protection a été incorporé au paquet SOT-23 standard pour produire un transistor MOSFET de puissance de HEXFET avec la plus petite empreinte de pas de l'industrie. Ce paquet, a doublé le Micro3™, est idéal pour des applications où l'espace de carte électronique est à une prime. Le profil bas (<1>