ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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Transistors de puissance planaires épitaxiaux de silicium de PNP/NPN 2SC5707 pour la commutation à forte intensité

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Transistors de puissance planaires épitaxiaux de silicium de PNP/NPN 2SC5707 pour la commutation à forte intensité

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Number modèle :2SC5707
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :20
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :9500
Délai de livraison :1 jour
Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails
Description :Transistor (BJT) bipolaire NPN 50 V 8 un bâti extérieur TP-FA de 330MHz 1 W
Courant de coupure de collecteur :<>
Courant de coupure d'émetteur :<>
Gain actuel de C.C :200-560
Produit de Gain-largeur de bande :(290) 330 mégahertz
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Transistors de puissance planaires épitaxiaux de silicium de PNP/NPN 2SC5707 pour la commutation à forte intensité

Applications

• Convertisseur de C.C/C.C, conducteurs de relais, conducteurs de lampe, conducteurs de moteur, éclair

Caractéristiques

• Adoption des processus de FBET et de MBIT.

• Grande capacité actuelle.

• Basse tension de saturation de collecteur-à-émetteur.

• Commutation ultra-rapide.

• Dissipation de puissance permise élevée.

Caractéristiques () : 2SA2040

Capacités absolues à Ta=25°C

Paramètre Symbole Conditions Estimations Unité
Tension de Collecteur-à-base VCBO -- (--50) 100 V
Tension de Collecteur-à-émetteur VCES -- (--50) 100 V
Tension de Collecteur-à-émetteur VCEO -- (--) 50 V
Tension d'Émetteur-à-base VEBO -- (--) 6 V
Courant de collecteur IC -- (--) 8
Courant de collecteur (impulsion) ICP -- (--) 11
Courant bas IB -- (--) 2
Dissipation de collecteur PC

--

Tc=25°C

1,0

15

W

W

La température de jonction Tj -- 150 °C
Température de stockage Tstg -- --55 à +150 °C

Caractéristiques électriques à Ta=25°C

Paramètre Symbole Conditions mn. Type. maximum. unité
Courant de coupure de collecteur ICBO VCB = (--) 40V, IE =0A -- -- (--) 0,1 µA
Courant de coupure d'émetteur IEBO VEB = (--) 4V, IC =0A -- -- (--) 0,1 µA
Gain actuel de C.C hFE VCE = (--) 2V, IC = (--) 500mA 200 -- 560 --
Produit de Gain-largeur de bande pi VCE = (--) 10V, IC = (--) 500mA -- (290) 330 -- Mégahertz
Capacité de sortie Épi VCB = (--) 10V, f=1MHz -- (50) 28 -- PF
Collecteur-à-émetteur Tension de saturation

VCE (s'est reposé) 1

VCE (s'est reposé) 2

IC = (--) 3.5A, IB = (--) 175mA

IC = (--) 2A, IB = (--) 40mA

--

--

(--230) 160

(--240) 110

(--390) 240

(--400) 170

système mv

système mv

Base--Emitterr À la saturation Tension VBE (s'est reposé) IC = (--) 2A, IB = (--) 40mA -- (--) 0,83 (--) 1,2 V
Tension claque de Collecteur-à-base V (BR) CBO IC = (--) 10µA, IE =0A (--50) 100 -- -- V
Tension claque de Collecteur-à-émetteur V (BR) CES IC = (--) 100µA, RBE =0Ω (--50) 100 -- -- V
Tension claque de Collecteur-à-émetteur PRÉSIDENT DE V (BR) IC = (--) 1mA, =∞ de RBE (--) 50 -- -- V
Tension claque d'Émetteur-à-base V (BR) EBO IE = (--) 10µA, IC =0A (--) 6 -- -- V
Temps d'ouverture tonne See a spécifié le circuit d'essai. -- (40) 30 -- NS
Temps d'entreposage tstg See a spécifié le circuit d'essai. -- (225) 420 -- NS
Temps de chute tf See a spécifié le circuit d'essai. -- 25 -- NS

Dimensions de paquet Dimensions de paquet

unité : millimètre unité : millimètre

7518-003 7003-003

Circuit de changement d'essai de temps

Inquiry Cart 0