ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

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transistor MOSFET FDV305N de PowerTrench de N-canal de transistor de transistor MOSFET de la puissance 20V

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transistor MOSFET FDV305N de PowerTrench de N-canal de transistor de transistor MOSFET de la puissance 20V

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Number modèle :FDV305N
Point d'origine :original
Quantité d'ordre minimum :5pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :290PCS
Délai de livraison :1 jour
Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails
Description :Bâti 350mW (merci) extérieur du N-canal 20 V 900mA (ventres) SOT-23-3
Tension de Drain-source :20 V
Tension de Porte-source :± 12 V
Dissipation de puissance maximum :0,35 W
Courant d'entrée :±5 mA
Température ambiante de jonction d'opération et de stockage :– °C 55 à +150
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Transistor MOSFET de  de PowerTrench de N-canal de FDV305N 20V

Description générale

Ce transistor MOSFET du N-canal 20V emploie le processus à haute tension de PowerTrench de Fairchild. Il a été optimisé pour des applications de gestion de puissance.

Applications

• Commutateur de charge

• Protection de batterie

• Gestion de puissance

Caractéristiques

• 0,9 A, 20 V

MΩ 220 du RDS (DESSUS) = @ VGS = 4,5 V

MΩ 300 du RDS (DESSUS) = @ VGS = 2,5 V

• Basse charge de porte

• Vitesse de changement rapide

• Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (DESSUS)

Capacités absolues

Symbole Paramètre Estimations Unités
VDSS Tension de Drain-source 20 V
VGSS Tension de Porte-source ± 12 V
Identification

Vidangez actuel – continu

– Pulsé

0,9

2

Palladium Dissipation de puissance maximum 0,35 W
TJ, TSTG Température ambiante de jonction d'opération et de stockage – 55 à +150 °C

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