ChongMing Group (HK) International Co., Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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Type épitaxial du silicium PNP de transistor de TOSHIBA
Applications d'amplificateur de puissance
Conducteur Stage Amplifier Applications
• Haute fréquence de transition : pi = 70 mégahertz (type.)
• Complémentaire à 2SC4793
Note :
Utilisant sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application de la haute température/actuel/tension et la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité de manière significative même si les conditions de fonctionnement (c.-à-d. température de fonctionnement/actuel/tension, etc.) sont dans les capacités absolues. Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba (concept et méthodes de /Derating « manipulant précautions ») et les différentes données de fiabilité (c.-à-d. rapport des essais de fiabilité et taux d'échec, etc. prévus).
Capacités absolues (comité technique = 25°C)
| Caractéristiques | Symbole | Estimation | Unité |
| Tension de collecteur-base | VCBO | −230 | V |
| Tension de collecteur-émetteur | VCEO | −230 | V |
| tension d'Émetteur-base | VEBO | −5 | V |
| Courant de collecteur | IC | −1 | |
| Courant bas | IB | -0,1 | |
|
Dissipation de puissance de collecteur Ventres = 25°C Comité technique = 25°C |
PC | 2,0 | W |
| 20 | |||
| La température de jonction | Tj | 150 | °C |
| Température ambiante de température de stockage | Tstg | −55 à 150 | °C |