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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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Transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance de smd d'IRFB31N20DPBF double ? ? ? ? ? ? ? ? Transistor MOSFET de puissance de HEXFET®

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China Transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance de smd d'IRFB31N20DPBF double ? ? ? ? ? ? ? ? Transistor MOSFET de puissance de HEXFET® wholesale
  • China Transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance de smd d'IRFB31N20DPBF double ? ? ? ? ? ? ? ? Transistor MOSFET de puissance de HEXFET® wholesale

Transistor de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance de transistor MOSFET de puissance de smd d'IRFB31N20DPBF double ? ? ? ? ? ? ? ? Transistor MOSFET de puissance de HEXFET®
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Number modèle :IRFB31N20DPBF
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :8100pcs
Délai de livraison :1 jour
Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails
Description :Canal N 200 V 31 A (Tc) 3,1 W (Ta), 200 W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Courant continu de drain, VGS @ 10V :21 A
Courant pulsé de drain :124 A
Facteur de sous-sollicitation linéaire :1,3 W/°C
Tension de Porte-à-source :± 30 V
Récupération maximale dv/dt de diode :2,1 V/ns
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HEXFET ? Transistor MOSFET de puissance

VDSS Le RDS (dessus) maximum Identification
200V 0.082Ω 31A

Applications

  • ? Convertisseurs à haute fréquence de DC-DC ?
  • Sans plomb

Avantages

  • ? Basse porte à vidanger pour réduire commuter des pertes ?
  • Capacité entièrement caractérisée comprenant COSS efficace pour simplifier la conception, (voyez un 1001) ?
  • Tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés

Capacités absolues

Paramètre Maximum. Unité
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 25°C Courant continu de drain, VGS @ 10V ‡ 31
Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C Courant continu de drain, VGS @ 10V 21
IDM Pulsé vidangez le  actuel 124
Palladium @TA = 25°C Dissipation de puissance 3,1 W
Palladium @TC = 25°C Dissipation de puissance 200 W
Facteur de sous-sollicitation linéaire 1,3 W/°C
VGS Tension de Porte-à-source ± 30 V
dv/dt ƒ maximal de la récupération dv/dt de diode 2,1 V/ns

TJ

TSTG

Jonction fonctionnante et

Température ambiante de température de stockage

 -55 + à 175 °C
La température de soudure, pendant 10 secondes 300 (1.6mm du cas) °C
Montant le couple, 6-32 ou le srew M3 10 livres-force•dans (1.1N•m)

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Q'ty MFG D/C Paquet
MAX1636EAP-T 6200 MAXIME 10+ SSOP
MAC8M 9873 SUR 10+ TO-220
MJD117-1G 8000 SUR 14+ TO-263
MAX1683EUK+T 6350 MAXIME 16+ IVROGNE
L3G4200D 2729 St 15+ LGA16
PTN78020AAH 400 TI 15+ IMMERSION
MAX4214EUK+T 5968 MAXIME 10+ IVROGNE
MX25L12873FM2I-10G 4500 MXIC 15+ CONCESSION
ATTINY10-TSHR 3000 ATMEL 15+ SOT23
PTN78060WAD 980 TI 15+ IMMERSION
PIC18F2520-I/SO 4598 PUCE 15+ CONCESSION
MC33269DR2-5.0 4554 SUR 15+ CONCESSION
MCP3421AOT-E/CH 5302 PUCE 16+ IVROGNE
MMBFJ108 10000 FAIRCHILD 16+ SOT-23
PIC18F8520-I/PT 4273 PUCE 14+ TQFP
PIC18F4550-I/PT 4438 PUCE 14+ QFP
MC68HC908QY4CPE 3832 FREESCALE 14+ IMMERSION
ZTX751 16060 ZETEX 11+ TO-92
MC9S12C64MFAE 4732 FREESCALE 14+ QFP
ZTX651 29000 ZETEX 11+ TO-92
LTC1650AIS 2802 LINÉAIRE 11+ CONCESSION

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