ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

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Les circuits intégrés IC, circuits intégrés de MC33262DR2G actionnent des contrôleurs de facteur

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Les circuits intégrés IC, circuits intégrés de MC33262DR2G actionnent des contrôleurs de facteur

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Number modèle :MC33262DR2G
Point d'origine :original
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :5200PCS
Délai de livraison :1 jour
Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails
Description :PFC IC Conduction critique (CRM) 8-SOIC
(ICC + IZ) :30 mA
E/S :500 mA
VIN :−1.0 à +10 V
IIN :50 −10mA
Température ambiante de fonctionnement ( :− 40 à °C +105
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Les circuits intégrés IC, circuits intégrés de MC33262DR2G actionnent des contrôleurs de facteur


Caractéristiques

• Le comparateur de surtension élimine la tension de sortie d'emballement

• Minuterie de démarrage interne

• Un multiplicateur de quart de cercle

• Détecteur actuel zéro

• Référence interne équilibrée de 2% Bandgap

• Le totem Polonais a produit avec la haute bride d'état

• Lock-out de sousvoltage avec 6,0 V d'hystérésis

• Bas courant de démarrage et d'opération

• Remplace la fonctionnalité de SG3561 et de TDA4817

• Les paquets de Pb−Free sont disponibles

Les MC34262/MC33262 sont des contrôleurs de facteur de puissance active spécifiquement conçus pour l'usage comme preconverter en ballast électronique et dans des applications de convertisseur de puissance d'off−line. Ces circuits intégrés comportent une minuterie de démarrage interne pour des applications de stand−alone, un multiplicateur d'un quart de cercle pour le facteur de puissance proche d'unité, détecteur actuel zéro pour assurer l'opération critique de conduction, l'amplificateur d'erreurs de transconductance, circuit de quickstart pour le démarrage augmenté, ont équilibré la référence interne de bandgap, le comparateur de détection actuel, et un résultat de poteau de totem idéalement adapté à conduire un transistor MOSFET de puissance.

Également incluses sont des caractéristiques protectrices se composant d'un comparateur de surtension pour éliminer la tension de sortie d'emballement due au retrait de charge, lock-out de sousvoltage d'entrée avec l'hystérésis, limitation actuelle de cycle−by−cycle, la bride de sortie de multiplicateur qui limite le courant maximal maximum de commutateur, un verrou de RS pour l'impulsion simple dosant, et bride d'état de sortie d'entraînement une haute pour la protection de porte de transistor MOSFET. Ces dispositifs sont disponibles en paquets en plastique de bâti de dual−in−line et de surface.

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