ChongMing Group (HK) International Co., Ltd
CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.
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Diodes IC Chip BAS 85 de l'électronique de la diode de barrière de Schottky
Diode de barrière de BAS85 Schottky
CARACTÉRISTIQUES
• Basse tension en avant
• Tension claque élevée
• Anneau de garde protégé
• Petit paquet hermétiquement scellé de SMD.
DESCRIPTION
Diode de barrière planaire de Schottky avec un anneau intégré de protection contre des décharges statiques. Cette diode montée extérieure est encapsulée dans un paquet en verre hermétiquement scellé de SOD80C SMD avec les disques plaque en fer blanc en métal à chaque extrémité. Il convient « au placement automatique » et en tant que tels elle peut résister à la soudure d'immersion.
APPLICATIONS
• Commutation ultra ultra-rapide
• Fixage de tension
• Circuits de protection
• Blocage des diodes.
ÉTATS DE PARAMÈTRE DE SYMBOLE
− MAXIMAL MINIMAL 30 V de tension inverse continue de l'UNITÉ VR
SI − actuel en avant continu 200 mA
SI moyenne (poids du commerce) en avant actuelle VRWM = 25 V ; a = 1,57 ; δ = 0,5 ;
note 1 ; Fig.2 du − 200 de mA IFRM de crête ≤ actuel répétitif 1 s de tp en avant ; − 300 mA I du ≤ 0,5 de δ
Crête non répétitive de FSM en avant actuelle tp de = − 5 A 10 Mme
°C de la température de stockage −65 +150 de Tstg
°C du − 125 de la température de jonction de Tj
°C fonctionnant de la température ambiante −65 +125 de Tamb
| SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | Max | UNITÉ |
| VF | Tension en avant |
SI =0.1mA SI =1mA SI =10mA SI =30mA SI =100mA |
240 320 400 500 800 |
système mv système mv système mv système mv système mv |
| IR | Vr=25V | 2,3 | uA | |
| Cd | capacité de diode | f=1 mégahertz Vr=1V | 10 | PF |