ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

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DEMI CONDUCTEUR de diode de pont redresseur, circuit IRS21091STRPBF de pont redresseur

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DEMI CONDUCTEUR de diode de pont redresseur, circuit IRS21091STRPBF de pont redresseur

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Number modèle :IRS2109
Point d'origine :Le Japon
Quantité d'ordre minimum :20pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :5200PCS
Délai de livraison :1 jour
Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails
Description :Conducteur IC Non-Inverting 8-SOIC de porte de Moitié-pont
tension absolue de flottement du côté haut :-0,3 625
tension de flottement du côté haut de compensation d'approvisionnement :VB - 25 VB + 0,3
tension de flottement du côté haut de sortie :CONTRE - 0,3 VB + 0,3
tension fixe du côté bas et de logique d'alimentation :-0,3 25
tension du côté bas de sortie :-0,3 VCC + 0,3
Tension programmable de goupille de deadtime et d'arrêt :VSS - 0,3 VCC + 0,3
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IRS21091 PbF

CONDUCTEUR DE HALF-BRIDGE

Caractéristiques

· Canal de flottement conçu pour l'opération d'amorce

· Complètement opérationnel à +600 V

· Tolérant à la tension passagère négative, dV/dt immunisé

· Gamme d'approvisionnement d'entraînement de porte de 10 V à 20 V

· Lock-out de sousvoltage pour les deux canaux

· 3,3 logique d'entrée de V, de 5 V, et de 15 V compatible

· logique de prévention de Croix-conduction

· Retard de propagation assorti pour les deux canaux

· sortie du côté haut dans la phase avec DANS l'entrée

· La terre de logique et de puissance de +/- compensation 5 V

· Deadtime interne de 500 NS,

et jusqu'à 5 µs programmables avec une résistance externe de transformateur rotatif

· Conducteur inférieur de porte de di/dt pour une meilleure immunité de bruit

· L'entrée à 2 modes de fonctionnement de DT/SD arrête les deux canaux

· RoHS conforme

Description

L'IRS21091 est un conducteur à haute tension et à grande vitesse de transistor MOSFET de puissance et d'IGBT avec de hauts et du côté bas canaux de sortie référencée dépendants. HVIC de propriété industrielle et verrouiller des technologies immunisées de CMOS permettent la construction monolithique robuste. L'entrée de logique est compatible avec la sortie standard de CMOS ou de LSTTL, vers le bas à la logique de 3,3 V. Les conducteurs de sortie comportent une étape de tampon actuelle d'impulsion élevée conçue pour la croix-conduction minimum de conducteur. Le canal de flottement peut être utilisé pour conduire un transistor MOSFET ou un IGBT de puissance de N-canal dans la configuration du côté haut qui actionne jusqu'à 600 V.

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