Caractéristiques :
• Approvisionnement simple avec l'opération vers le bas à 1.7V pour (24AA256 et 24FC256 dispositifs, 2.5V pour) (dispositifs 24LC256)
• Technologie de basse puissance de CMOS : courant 1.Active 400 uA, de typique 2.Standby Na du courant 100, typique 3.2-Wire interface série, I2C™ compatible
• Jusqu'à huit dispositifs Cascadable • Entrées de déclencheur de Schmitt pour la suppression de bruit • Contrôle de pente de sortie pour éliminer le rebond au sol
• 100 kilohertz et 400 kilohertz de compatibilité d'horloge • La page écrivent Mme maximum du temps 5 • L'effacement Auto-synchronisé/écrivent le cycle
• la page 64-Byte écrivent le tampon • Protection contre l'écriture de matériel • Protection >4000V d'ESD • Plus d'un million d'effacement/écrivent des cycles
• Années de la conservation >200 de données • Programmation d'usine disponible • Les paquets incluent 8 l'avance PDIP, SOIC, DFN, TDFN, TSSOP et MSOP
• Sans Pb et RoHS conformes
• Températures ambiantes : 1.Industrial (i) : - 40°C à +85°C 2.Automotive (e) : - 40°C à +125°C
Description :
Microchip Technology Inc. 24AA256/24LC256/24FC256 (24XX256*) est de 32K X (256 Kbit) de la publication périodique 8 un PROM effaçable électriquement, capable de l'opération
à travers une large gamme de tension (1.7V à 5.5V). Il a été développé pour des applications telles que des communications personnelles ou par acquisition de données avancées et de basse puissance. Ce dispositif fait également écrire une page la capacité de jusqu'à 64 octets de données. Ce dispositif est capable d'aléatoire et séquentiel lit jusqu'à la frontière 256K. Les lignes fonctionnelles d'adresse permettent jusqu'à huit dispositifs sur le même autobus, pour l'espace d'adressage jusqu'à de 2 Mbit. Ce dispositif est disponible dans paquets en plastique standard d'IMMERSION, de SOIC, de TSSOP, de MSOP, de DFN et de TDFN les de 8 borne. Le 24AA256 est également disponible dans 8 l'avance Chip Scale Package.
Param.
Non.
|
Sym. |
Caractéristique |
Mn.
|
Maximum. |
Unités |
Conditions
|
D1
|
VIH
|
A0, A1, A2, CÂBLE COAXIAL, SDA
et goupilles de wp :
|
—
|
— |
— |
— |
D2
|
VIL
|
Tension d'entrée de haut niveau
|
0,7 VCC
|
— |
V |
— |
D3 |
VHYS |
Tension d'entrée de bas niveau
Hystérésis de Schmitt
Entrées de déclencheur
(Goupilles de SDA, de câble coaxial)
|
—
|
0,3 VCC |
V |
VCC<2>
|
D4 |
Vol. |
Tension de bas niveau de sortie |
0,5 VCC |
— |
V |
VCC<2>
|