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ChongMing Group (HK) Int'l Co., Ltd

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MsDoris Guo

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Ordinateur Chip Board de circuit du transistor MOSFET FDS6676AS Intregrated de Powertrench de la Manche de N

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Number modèle :FDS6676AS

Point d'origine :La Malaisie

Quantité d'ordre minimum :5pcs

Conditions de paiement :T/T à l'avance ou d'autres

Capacité d'approvisionnement :1000PCS

Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails

Délai de livraison :1 jour

Description :Bâti 2.5W (merci) extérieur du N-canal 30 V 14.5A (ventres) 8-SOIC

Tension de Drain-source :30V

Ligne principale :IC, module, transistor, diodes, condensateur, résistance etc.

Tension de Porte-source :±20V

La température :-50-+150°C

Paquet d'usine :2500PCS/REEL

Paquet :SOP-8

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Ordinateur Chip Board de circuit du transistor MOSFET FDS6676AS Intregrated de Powertrench de la Manche de N

actions originales de composants électroniques de PowerTrench FDS6676AS du N-canal 30V

Description générale

Le FDS6676AS est conçu pour remplacer un transistor MOSFET SO-8 et une diode simples de Schottky dans synchrone

C.C : Approvisionnements d'alimentation CC. Ce transistor MOSFET 30V est conçu pour maximiser l'efficacité de conversion de puissance, fournissant un bas RDS (DESSUS) et la basse charge de porte. Le FDS6676AS inclut une diode intégrée de Schottky utilisant la technologie monolithique de SyncFET de Fairchild.

Applications

• Convertisseur de DC/DC

• Bas carnet latéral

Caractéristiques

• A 14,5, 30 mΩ du max= 6,0 de V. le RDS (DESSUS) @ VGS = 10 mΩ du max= 7,25 de V le RDS (DESSUS) @ VGS = 4,5 V

• Inclut la diode de corps de SyncFET Schottky

• Basse charge de porte (45nC typiques)

• Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (DESSUS) et la commutation rapide

• Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle

Capacités absolues TA=25o C sauf indication contraire

Symbole	Paramètre	Estimation	Unité
VDSS	Tension de Drain-source	30	V
VGSS	Tension de Porte-source	±20	V
Identification	Vidangez actuel – continu (note 1a) – Pulsé	14,5
Identification	Vidangez actuel – continu (note 1a) – Pulsé	50
Palladium	Dissipation de puissance pour l'opération simple (note 1a) (Note 1B) (Note 1c)	2,5	W
		1,5
		1
TJ, TSTG	Température ambiante de jonction d'opération et de stockage	– 55 à +150	°C

Caractéristiques thermiques

_RθJA	Résistance thermique, Jonction-à-ambiante (note 1a)	50	W/°C
_RθJC	Résistance thermique, Jonction-à-cas (note 1)	25	W/°C

Inscription et information de commande de paquet

Repérage de dispositif	Dispositif	Taille de bobine	Largeur de bande	Quantité
FDS6676AS	FDS6676AS	13"	12MM	2500 unités
FDS6676AS	FDS6676AS_NL	13"	12MM	2500 unités

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