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DDR3 SDRAM est un ultra-rapide, mémoire vive dynamique de CMOS. Il est intérieurement configuré comme DRACHME de 8 banques.
Caractéristiques
• VDD = VDDQ = +1.5V ±0.075V
• 1.5V centre-a terminé l'entrée-sortie en tandem
• Stroboscope bidirectionnel différentiel de données
• architecture du prefetch 8n-bit
• Entrées d'horloge différentielle (CK, CK#)
• 8 banques internes
• Arrêt nominal et dynamique de sur-matrice (ODT) pour les données, le stroboscope, et les signaux de masque
• Latence de CAS (LU) (CL) : 5, 6, 7, 8, 9, 10, ou 11
• Latence ADDITIVE SIGNALÉE de CAS (AL) : 0, CL - 1, CL - 2
• Latence de CAS (ÉCRIVEZ) (cwl) : 5, 6, 7, 8, basés sur t CK
• Longueur éclatée fixe (BL) de 8 et de côtelette d'éclat (puisque) de 4 (par l'intermédiaire de l'ensemble de registre de mode [MME])
• BC4 ou BL8 sélectionnable en marche (OTF)
• L'individu régénèrent le mode
BULLETIN DE LA COTE
LM4890MM | 30000 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
MHW6342T | 6304 | MOT | 15+ | CATV |
CM450HA-5F | 233 | MITSUBI | 14+ | MODULE |
PM200RSD060 | 230 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
PM200RSA060 | 120 | MITSUBISH | 13+ | MOUDLE |
MSM5219BGS-K-7 | 550 | OKI | 14+ | QFP |
PS11003-C | 500 | MITSUBISH | 12+ | MODULE |
MB87020PF-G-BND | 3531 | FUJITSU | 14+ | QFP |
MA2820 | 7689 | SHINDENG | 16+ | FERMETURE ÉCLAIR |
7MBP150RTB060 | 210 | FUJI | 12+ | MODULE |
MBM200HS6B | 629 | HITACHI | 14+ | MODULE |
PM25RSK120 | 320 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
QM150DY-H | 150 | MITSUBISH | 13+ | MODULE |
PWB130A40 | 120 | SANREX | 14+ | MODULE |
LA1185 | 3928 | SANYO | 14+ | SIP9 |
BSM25GP120 | 458 | EUPEC | 15+ | MODULE |
LM2750LD-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | QFN |
NCN1188MUTAG | 8480 | SUR | 16+ | UQFN |
NCN1154MUTAG | 8400 | SUR | 16+ | UQFN |
LM2745MTCX | 3000 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
L78L05ABD | 10000 | St | 15+ | SOP8 |
AT24C08BN-SH | 5000 | ATMEL | 15+ | SOP-8 |
PS21563-P | 500 | MITSUBISH | 12+ | MODULE |
BNX003-01 | 2058 | MURATA | 14+ | IMMERSION |
LTC4441IMSE | 6207 | LINÉAIRE | 14+ | MSOP |
PA0173NLT | 7386 | IMPULSION | 16+ | CONCESSION |