Transistors MOSFET de puissance de N-canal de transistor de transistor MOSFET de puissance de transistors de transistor MOSFET de la puissance RFP70N06 élevée

RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06SM

70A, 60V, 0,014 ohms, transistors MOSFET de puissance de N-canal

Ce sont des transistors MOSFET de puissance de N-canal construits utilisant le processus de MegaFET. Ce processus, qui emploie des tailles de caractéristique approchant ceux des circuits de LSI, donne l'utilisation optima du silicium, ayant pour résultat la représentation exceptionnelle. Ils ont été conçus pour l'usage dans les applications telles que des régulateurs de commutation, des convertisseurs de changement, des conducteurs de moteur et des conducteurs de relais. Ces transistors peuvent être actionnés directement à partir des circuits intégrés.

Type autrefois développemental TA49007.

Caractéristiques

• 70A, 60V

• le RDS (dessus) = 0.014Ω

• Modèle à température compensée de PSPICE®

• Courant de pointe contre la courbe de durée d'impulsion

• Courbe d'estimation d'UIS (impulsion simple)

• température de fonctionnement 175oC

• Littérature relative

- TB334 « directives pour les composants extérieurs de soudure de bâti aux panneaux de PC »

Capacités absolues comité technique = 25℃, sauf indication contraire

PRÉCAUTION : Les efforts au-dessus de ceux énumérés dans « des capacités absolues » peuvent endommager permanent le dispositif. C'est une seule estimation d'effort et l'opération du dispositif à ces derniers ou d'aucune autre condition au-dessus de ceux indiqués dans les sections opérationnelles de ces spécifications n'est pas impliquée.

NOTE : 1. TJ = 25oC à 150℃

Symbole

Emballage

Offre courante (vente chaude)