ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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CY62256NLL-70PXC 256K (32K x 8) carte de circuit imprimé de carte de circuit imprimé de RAM statique ic

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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CY62256NLL-70PXC 256K (32K x 8) carte de circuit imprimé de carte de circuit imprimé de RAM statique ic

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Number modèle :CY62256NLL-70PXC
Point d'origine :original
Quantité d'ordre minimum :5pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :290PCS
Délai de livraison :1 jour
Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails
Description :SRAM - Mémoire asynchrone IC 256Kbit 70 parallèles NS 28-PDIP
Température de stockage :. – 65°C à +150°C
Température ambiante avec la puissance appliquée :. -55°C à +125°C
Tension d'alimentation pour rectifier le potentiel :– 0.5V à +7.0V
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CY62256NLL-70PXC 256K (32K x 8) carte de circuit imprimé de carte de circuit imprimé de RAM statique ic


Caractéristiques

■ Plages de température

❐ Commercial : 0°C à 70°C

❐ Industriel : –40°C à 85°C

❐ Automobile-A : –40°C à 85°C

❐ Automobile-E : –40°C à 125°C

■ Haute vitesse : 55 ns

■ Plage de tension : fonctionnement de 4,5 V à 5,5 V

■ Faible puissance active

❐ 275 mW (maximum)

■ Faible consommation en veille (version LL)

❐ 82,5 μW (max)

■ Extension de mémoire facile avec les fonctionnalités CE et OE

■ Entrées et sorties compatibles TTL

■ Mise hors tension automatique lorsqu'elle est désélectionnée

■ CMOS pour une vitesse et une puissance optimales

■ Disponible en PDIP 28 broches (600 mil) sans plomb et non sans plomb,

SOIC étroit 28 broches (300 mil), TSOP-I 28 broches,

et boîtiers TSOP-I inversés à 28 broches

mode d'emploi

Le CY62256N[1] est une RAM statique CMOS hautes performances organisée en 32K mots par 8 bits.Une extension de mémoire facile est fournie par une activation de puce LOW active (CE) et une activation de sortie LOW active (OE) et des pilotes à trois états.Cet appareil dispose d'une fonction de mise hors tension automatique, réduisant la consommation d'énergie de 99,9 % lorsqu'il est désélectionné.

Un signal de validation d'écriture BAS actif (WE) commande l'opération d'écriture/lecture de la mémoire.Lorsque les entrées CE et WE sont toutes deux BASSES, les données sur les huit broches d'entrée/sortie de données (E/S0 à E/S7) sont écrites dans l'emplacement mémoire adressé par l'adresse présente sur les broches d'adresse (A0 à A14).La lecture de l'appareil s'effectue en sélectionnant l'appareil et en activant les sorties, CE et OE actives LOW, tandis que WE reste inactive ou HIGH.Dans ces conditions, le contenu de l'emplacement adressé par les informations sur les broches d'adresse est présent sur les huit broches d'entrée/sortie de données.

Les broches d'entrée/sortie restent dans un état d'impédance élevée sauf si la puce est sélectionnée, les sorties sont activées et l'activation d'écriture (WE) est HIGH.

LISTE DES STOCKS

CA1458E 1380 INTERSIL 15+ PLONGER
7MBR50NF060 500 FUJI 16+ MODULE
AD517JH 2450 PUBLICITÉ 13+ PEUT
2N6394 3000 SUR 14+ TO-220
2SA1385-Z-E1 3000 NCA 16+ À-252
ASPC2R/STE2A 1600 SUR 16+ QFP100
IRF710 1500 IR 13+ AMADOUER
BQ27510DRZR-G2 1560 TI 15+ RQF
IRF840 1500 IR 16+ TO-220
IRF740 1500 IR 16+ AMADOUER
ADG783BCPZ 2000 PUBLICITÉ 15+ LFCSP
ADM3202ARNZ 2000 PUBLICITÉ 15+ POS-16
1N4448W-7-F 9000 DIODES 13+ SOD123
IRF7389TR 1500 IR 15+ AMADOUER
HA13164AH 3460 FRAPPER 15+ PLONGER
IRFR024N 1500 IR 13+ À-252
HT9302G 2460 HOLTEK 14+ DIP-16
BTA08-600BW 2100 ST 13+ TO-220
2SD1555 3000 TOSHIBA 13+ TO-3P
2SK2996 3000 TOSHIBA 15+ TO-220F
2SK2671 3000 SHINDENGE 15+ TO-220
2SK3451 3000 FUJI 16+ TO-220F
AD574AJD 2450 PUBLICITÉ 16+ DIP-28
4N32 3000 FSC 15+ DIP-6
2SC3997 3000 SANYO 15+ TO-3PL
2SC5148 3000 TOSHIBA 16+ TO-3P
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