ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

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Puce de circuit intégré de SN74HC20DR, doubles composants électroniques d'IC ​​de porte de NAND de 4 entrées

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Puce de circuit intégré de SN74HC20DR, doubles composants électroniques d'IC ​​de porte de NAND de 4 entrées

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Number modèle :74HC20D
Point d'origine :Usine originale
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :8300pcs
Délai de livraison :1 jour
Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails
Description :La Manche 14-SOIC de NAND Gate IC 2
Na de retard de propagation, NOTA:, OR, ND au nY :8 NS
Capacité d'entrée :3,5 PF
capacité de dissipation de puissance par paquet :22 PF
Capacité de sortie :Norme
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Puce de circuit intégré 74HC20D, doubles composants électroniques d'IC ​​de porte de NAND de 4 entrées

Double porte NAND à 4 entrées 74HC/HCT20

CARACTÉRISTIQUES

• Capacité de sortie : standard

• JECCcatégorie : SSI

DESCRIPTION GÉNÉRALE

Les 74HC/HCT20 sont des dispositifs CMOS Si-gate haute vitesse et sont compatibles avec les broches Schottky TTL (LSTTL) basse consommation.Ils sont spécifiés conformément à la norme JEDEC n°.7A.Le 74HC/HCT20 fournit la fonction NAND à 4 entrées.

DONNÉES DE RÉFÉRENCE RAPIDE

GND = 0 V ;Jamb= 25 °C ;tr= tF= 6ns

SYMBOLE PARAMÈTRE CONDITIONS TYPIQUE UNITÉ
SC HCT
tPHL/ tPLH délai de propagation nA, nB, nC, nD à nY CL= 15 pF ;VCC= 5V 8 13 ns
Cje capacité d'entrée 3.5 3.5 pF
CDP capacité de dissipation de puissance par paquet notes 1 et 2 22 17 pF

Remarques

1. CDPest utilisé pour déterminer la dissipation de puissance dynamique (PDen µW) :

PD=CDP×VCC2×fje+ ∑ (CL×VCC2×fo) où:

Fje= fréquence d'entrée en MHz

Fo= fréquence de sortie en MHz

CL= capacité de charge de sortie en pF

VCC= tension d'alimentation en V

∑ (CL×VCC2×fo) = somme des sorties

2. Pour HC, la condition est Vje= GND à VCC

Pour HCT, la condition est Vje= GND à VCC− 1,5 V

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