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CARACTÉRISTIQUES
• Large plage de tension d'alimentation de 1,65 V à 5,5 V
• Entrée/sortie tolérante 5 V pour l'interfaçage avec la logique 5 V
• Haute immunité au bruit
• Protection ESD :
– HBM EIA/JESD22-A114-B dépasse 2000 V
– MM EIA/JESD22-A115-A dépasse 200 V.
• Commande de sortie ±24 mA (VCC = 3,0 V)
• CMOS à faible consommation d'énergie
• Les performances de verrouillage dépassent 250 mA
• Plusieurs options de forfait
• Spécifié de −40 °C à +85 °C et de −40 °C à +125 °C.
DESCRIPTION
Le 74LVC2GU04 est un dispositif CMOS Si-gate hautes performances, basse consommation et basse tension, supérieur aux familles TTL compatibles CMOS les plus avancées.
L'entrée peut être pilotée à partir d'appareils 3,3 V ou 5 V.Ces caractéristiques permettent l'utilisation de ces appareils dans un environnement mixte 3,3 V et 5 V.
Le 74LVC2GU04 fournit deux onduleurs.Chaque onduleur est un étage unique avec une sortie non tamponnée.
SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | TYPIQUE | UNITÉ |
tPHL/tPLH |
délai de propagation entrée nA vers sortie nY |
VCC = 1,8 V ;CL = 30 pF ;RL =1kΩ | 2.3 | ns |
VCC = 2,5 V ;CL = 30 pF ;RL = 500 Ω | 1.8 | ns | ||
VCC = 2,7 V ;CL = 50 pF ;RL = 500 Ω | 2.6 | ns | ||
VCC = 3,3 V ;CL = 50 pF ;RL = 500 Ω | 2.3 | ns | ||
Cje | capacité d'entrée | 5 | pF | |
CDP | capacité de dissipation de puissance par porte | VCC = 3,3 V ;notes 1 et 2 | pF |