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Transistor MOSFET IGBT 300W d'IMMERSION d'IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM TO-247 40A 600V

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Transistor MOSFET IGBT 300W d'IMMERSION d'IXGH40N60C2D1 HiPer FASTTM TO-247 40A 600V

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Number modèle :IXGH40N60C2D1
Point d'origine :LES Etats-Unis
Quantité d'ordre minimum :10pcs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement :10,000pcs
Délai de livraison :dans 2-3days courant
Détails de empaquetage :Tube
Description :IGBT pinte 600 V 75 A 300 W par le trou TO-247AD
PN :IXGH40N60C2D1
Marque :IXYS
Original :LES Etats-Unis
paquet :IMMERSION TO-247
Actuel :40A
Tension :600V
Puissance :300W
Type :Transistor MOSFET IGBT HiPer FASTTM IGBT avec la diode
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Les IGBT à grande vitesse de la classe C2

Caractéristiques
  • IGBT à très haute fréquence
  • RBSOA carré
  • Capacité de traitement de courant élevé

Applications

  • Équipement de traitement de l'électricité
  • Écran de commutation et de résonance
  • Contrôle de vitesse du moteur à courant alternatif
  • Servo et robot à courant continu
  • Helicoptères à courant continu

Les avantages

  • Densité de puissance élevée
  • Vitesses de commutation très rapides pour les applications à haute fréquence
  • Packages à haute puissance montés à la surface

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