Le nombre total d'équipements utilisés est fixé par la Commission. Transistor bipolaire à porte isolée avec diode de récupération souple ultra-rapide

Pour les appareils électroniques, le réglage de la tension doit être effectué à l'aide d'un régulateur.

Caractéristiques

• Faible VCE (allumée) non perforée grâce à la technologie IGBT.

• Faible fréquence VF de diode.

• Capacité de court-circuit de 10 μs.

• RBSOA carré.

• Caractéristiques de récupération inverse des diodes ultrasoft.

• Coefficient de température VCE (allumé) positif.

• Sans plomb

Les avantages

• Efficacité de référence pour le contrôle moteur.

• Des performances transitoires robustes.

• faible EMI.

• Excellent partage du courant en fonctionnement parallèle.

Numéro de la partie	Le nombre total d'équipements utilisés est fixé par la Commission.
Produit de fabrication	Infineon
Catégories Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors - IGBT - Fabricant unique	Infineon
Emballage	Tuyaux
Originaux	L' Allemagne.
Statut de la partie	Actif
Type IGBT	Le TNP
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max)	600 V
Courant - collecteur (Ic) (maximum)	22A
Courant - pulsation du collecteur (Icm)	44A
Vce ((on) (max) @ Vge Ic	2.2V @ 15V 10A
Puissance maximale	156W
Échange d'énergie	Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est déterminé en fonction de la fréquence de l'émission.
Type d'entrée	La norme
Charge de la porte	38nC

Inquiry Cart 0