2SD1899 NPN PNP Transistors de silicium NPN Puissance Transistors
Définition
·faible tension de saturation du collecteur
·testé à 100% en avalanche
·Variations minimales par lot pour des performances robustes du dispositif et un fonctionnement fiable
Applications
·Applications à haute fréquence de transition
Les spécifications
Catégorie: BJT - Objectif général
Fabricant: RENESAS TECHNOLOGY
Courant du collecteur (CC) : 3 ((A)
Voltage de base du collecteur: 60 V
Voltage collecteur-émetteur: 60 V
Voltage de base de l'émetteur: 7 V
Fréquence: 120 MHz
Dissipation de l'énergie:
Montage: surfaces
Plage de température de fonctionnement: -55°C à 150°C
Type de colis: TO-252
Nombre de broches: 2 + Tab
Nombre d'éléments: 1
Classification de température de fonctionnement: militaire
Catégorie: Puissance bipolaire
Rad durci: Non
Polarité du transistor: NPN
Puissance de sortie: pas nécessaire ((W)
Configuration: unique
Le gain de courant continu: 60@0,2A@2V/50@2A@2V
