ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

CHONGMING GROUP (HK) INT'L CO., LTD.

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Type d'usage universel configuration simple du transistor NPN de C.C 0.15A de 2SD2227STPW 50V

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Ville:shenzhen
Pays / Région:china
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Type d'usage universel configuration simple du transistor NPN de C.C 0.15A de 2SD2227STPW 50V

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Number modèle :2SD2227S
Point d'origine :Le Japon
Quantité d'ordre minimum :10 PCs
Conditions de paiement :T/T, Western Union, ENGAGEMENT
Capacité d'approvisionnement :10000pcs
Délai de livraison :Courant
Détails de empaquetage :Bobine
Description :Transistor (BJT) bipolaire NPN 50 V 150 mA 250MHz 300 mW par le trou SPT
Polarité de transistor :NPN
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum :50V
Tension de collecteur-base VCBO :60V
Tension basse VEBO d'émetteur :12V
Courant de collecteur CC maximal :0.15A
Produit pi de largeur de bande de gain :250 mégahertz
Température de fonctionnement maximum :+ 150 C
HFE de gain actuel de C.C maximum :1200 à 1 mA à 5 V
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2SD2227S NPN PNP Transistors à usage général Transistors 50V 0,15A

Transistors à puissance moyenne ((25V, 1,2V), transistors à usage général ((50V, 0,15A)

Caractéristiques

1) Gain de courant continu élevé.

2) Voltage bas émetteur élevé (VCBO=12V)

3) Faible tension de saturation (type VCE (sat) = 0,3V à IC/IB = 50mA/5mA)

Attribut du produit Valeur attribuée
Mode de montage: DSM/SMT
Polarité du transistor: NPN
La configuration: Unique
Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max: 50 V
Le collecteur- tension de base VCBO: 60 V
Émetteur-tension de base VEBO: 12 V
Courant maximal du collecteur CC: 0.15A
Produit de gain de bande passante fT: 250 MHz
Température de fonctionnement maximale: + 150 °C
Gain de courant continu hFE max: 1200 à 1 mA à 5 V
Courant continu du collecteur: 0.15A
Pd - Dissipation de puissance: 300 mW

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