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ChongMing Group (HK) International Co., Ltd

Ville:shenzhen

Pays / Région:china

Contact:MsDoris Guo

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NDT456P Transistors à effet de champ à diode rectificatrice mode d'amélioration du canal P

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Number modèle :NDT456P

Point d'origine :Philippines

Quantité d'ordre minimum :20

Conditions de paiement :T/T, Western Union, Paypal

Capacité d'approvisionnement :20000

Délai de livraison :1

Détails de empaquetage :Veuillez me contacter pour des détails

Définition :Le moteur de l'appareil doit être équipé d'un moteur de commande à commande automatique.

Tension de Drain-source :30V

Tension de Porte-source :±20 V

Vidangez actuel :±7.5 A

Température ambiante d'opération et de température de stockage :-65 à 150 °C

Résistance thermique, Jonction-à-Ambien :42 °C/W

Résistance thermique, jonction-à-cas :12 °C/W

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NDT456P Transistors à effet de champ en mode d'amélioration du canal P

Caractéristiques

* -7,5 A, -30 V. RDS ((ON) = 0,030 W @ VGS = -10 V RDS ((ON) = 0,045 W @ VGS = -4,5 V

* Conception de cellules à haute densité pour des RDS extrêmement bas ((ON)

* Haute puissance et capacité de traitement des courants dans un ensemble de montage de surface largement utilisé.

Description générale

Les transistors à effet de champ de puissance en mode d'amélioration du canal P sont fabriqués à l'aide de la technologie DMOS propriétaire de Fairchild, à haute densité de cellules.Ce processus de très haute densité est spécialement conçu pour minimiser la résistance en état et fournir des performances de commutation supérieuresCes appareils sont particulièrement adaptés aux applications basse tension telles que la gestion de l'alimentation des ordinateurs portables, les circuits alimentés par batterie et le contrôle du moteur CC.

Le symbole	Paramètre	Le nombre de personnes concernées est le suivant:	Unités
V_DSS	Voltage de la source de vidange	- 30 ans	V
V_GSS	Voltage de la porte de sortie	± 20	V
TJ, TSTG	Plage de température de fonctionnement et de stockage	de 65 à 150	°C
RqJA	Résistance thermique, jonction avec l'environnement (note 1a)	42	°C/W
RqJC	Résistance thermique, jonction à l'emballage (note 1)	12	°C/W

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