HGTG11N120CND NPT série N canal IGBT antiparallèle diode hyperrapide 43A 1200V
Définition:
Le HGTG11N120CND est une conception IGBT Non-Punch Through (NPT).
Il s'agit d'un nouveau membre de la famille IGBT de commutation haute tension MOS.
Les IGBT combinent les meilleures caractéristiques des MOSFET et des transistors bipolaires.
Cet appareil a l'impédance d'entrée élevée d'un MOSFET et la faible perte de conduction en état d'un transistor bipolaire.
L'IGBT utilisé est du type de développement TA49291.
La diode utilisée est du type de développement TA49189.
L'IGBT est idéal pour de nombreuses applications de commutation haute tension fonctionnant à des fréquences modérées
lorsque des pertes de conduction faibles sont essentielles, telles que: commandes de moteurs à courant alternatif et à courant continu, sources d'alimentation et actionneurs pour les magnénoïdes,
Relais et contactors, anciennement du type de développement TA49303.
Caractéristiques:
• 43A, 1200V, TC = 25oC
• Capacité de commutation SOA de 1200 V
• Temps d'automne typique. . . . . .340ns à TJ = 150oC
• Rating de court-circuit
• Faible perte de conduction
• Modèle SPICE d'impédance thermique
