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Gaufrette de nitrure de gallium de semi-conducteur, calibre N - type de substrat de GaN - 2 pouces

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Province / État:shanghai
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Gaufrette de nitrure de gallium de semi-conducteur, calibre N - type de substrat de GaN - 2 pouces

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Numéro de type :GaN-2INCH 10x10mm
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :5pc
Conditions de paiement :L / C, T / T
Délai de livraison :2-4 semaines
Détails d'emballage :caisse simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories
Matériau :Monocristal de GaN
Méthode :HVPE
Taille :2inch ou 10x10mm
Epaisseur :430um ou adapté aux besoins du client
l'industrie :LD, mené, dispositif de laser, détecteur,
Paquet :chantez le cassettle de gaufrette par l'emballage sous vide
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  1. III-nitrure (GaN, AlN, auberge)

La nitrure de gallium est un genre de semi-conducteurs composés de large-Gap. Le substrat de nitrure de gallium (GaN) est

un substrat monocristallin de haute qualité. Il est fait avec la méthode originale de HVPE et la technologie transformatrice de gaufrette, qui a été à l'origine développée pour 10+years en Chine. Les caractéristiques sont uniformité cristalline et bonne élevée, et qualité extérieure supérieure. Des substrats de GaN sont employés pour beaucoup de genres de demandes, de LED blanche et LD (violet, bleu et vert) en outre, développement a progressé pour la puissance et les applications à haute fréquence d'appareil électronique.

 

    La largeur de bande interdite (luminescente et absorption) couvrent la lumière et l'infrarouge ultra-violets et visibles.
GaN peut être employé dans beaucoup de secteurs tels que l'affichage à LED, la détection de grande énergie et la représentation,

  1. Affichage de projection de laser, dispositif de puissance, etc.
  2. Stockage de date
  3. Éclairage de rendement optimum
  4. Affichage polychrome de fla
  5.  
  6. Laser Projecttions
  7. Appareils électroniques à haute efficacité
  8.  
  9. Dispositifs à haute fréquence à micro-ondes
  10. Détection de grande énergie et imaginer
  11. Nouvelle technologie d'hydrogène de solor d'énergie
  12.  
  13. Détection d'environnement et médecine biologique
  14. Bande de terahertz de source lumineuse

 
Caractéristiques :

  GaN Substrates libre (taille adaptée aux besoins du client)
Article GaN-FS-10 GaN-FS-15
Dimensions 10.0mm×10.5mm 14.0mm×15.0mm
Marco Defect Density Un niveau 0 cm2
Niveau de B ≤ 2 cm2
Épaisseur Grade 300 300 µm du ± 25
Grade 350 350 µm du ± 25
Grade 400 400 µm du ± 25
Orientation ± 0.5° du C-axe (0001)
TTV   (Variation totale d'épaisseur) µm ≤15
ARC µm ≤20
Type de conduction de type n Semi-isolant
Résistivité (300K) < 0,5 Ω·cm >106 Ω·cm
Densité de dislocation Moins que cm2 5x106
Superficie utilisable > 90%
Polonais Front Surface : Ra < 0.2nm. Epi-prêt poli
Surface arrière : La terre fine
Paquet Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans des conteneurs simples de gaufrette, sous une atmosphère d'azote.

Gaufrette de nitrure de gallium de semi-conducteur, calibre N - type de substrat de GaN - 2 pouces

Article GaN-FS-N-1.5
Dimensions ± 0.5mm de Ф 25.4mm ± 0.5mm de Ф 38.1mm ± 0.5mm de Ф 40.0mm ± 0.5mm de Ф 45.0mm
Marco Defect Density Un niveau ≤ 2 cm2
Niveau de B > 2 cm2
Épaisseur 300 µm du ± 25
Orientation ± 0.5° du C-axe (0001)
Appartement d'orientation ± 0.5° (de 1-100) ± 0.5° (de 1-100) ± 0.5° (de 1-100) ± 0.5° (de 1-100)
8 ± 1mm 12 ± 1mm 14 ± 1mm 14 ± 1mm
Appartement secondaire d'orientation ± 3° (de 11-20) ± 3° (de 11-20) ± 3° (de 11-20) ± 3° (de 11-20)
4 ± 1mm 6 ± 1mm 7 ± 1mm 7 ± 1mm
TTV (variation totale d'épaisseur) µm ≤15
ARC µm ≤20
Type de conduction de type n Semi-isolant
Résistivité (300K) < 0,5 Ω·cm >106 Ω·cm
Densité de dislocation Moins que cm2 5x106
Superficie utilisable > 90%
Polonais Front Surface : Ra < 0.2nm. Epi-prêt poli
Surface arrière : La terre fine
Paquet Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans des conteneurs simples de gaufrette, sous une atmosphère d'azote.

Gaufrette de nitrure de gallium de semi-conducteur, calibre N - type de substrat de GaN - 2 pouces
Gaufrette de nitrure de gallium de semi-conducteur, calibre N - type de substrat de GaN - 2 pouces

 Notre vision d'entreprise de Factroy
nous fournirons au substrat de haute qualité de GaN et à la technologie d'application pour l'industrie notre usine.
GaNmaterial de haute qualité est le facteur retenant pour l'application d'III-nitrures, par exemple longue durée
et LDs de forte stabilité, puissance élevée et dispositifs élevés à micro-ondes de fiabilité, intense luminosité
et rendement élevé, LED économiseuse d'énergie.
 
- FAQ –
Q : Que pouvez-vous assurer la logistique et le coût ?
(1) nous acceptons DHL, Fedex, le TNT, l'UPS, le SME, le SF et etc.
(2) si vous avez votre propre nombre exprès, il est grand.
Sinon, nous pourrions vous aider pour livrer. Freight=USD25.0 (le premier poids) + USD12.0/kg
 
Q : Quel est le délai de livraison ?
(1) pour les produits standard tels que la gaufrette de 2inch 0.33mm.
Pour l'inventaire : la livraison est 5 jours ouvrables après ordre.
Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est 2 ou 4 semaines de travail après ordre.

Q : Comment payer ?
100%T/T, Paypal, union occidentale, MoneyGram, paiement sûr et assurance commerciale.
 
Q : Quel est le MOQ ?
(1) pour l'inventaire, le MOQ est 5pcs.
(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 5pcs-10pcs.
Il dépend de la quantité et des techniques.
 
Q : Avez-vous le rapport d'inspection pour le matériel ?
Nous pouvons fournir le rapport de ROHS et atteindre des rapports pour nos produits.
 
 

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