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Wafer de silicium 8 pouces Diamètre 200 mm <111>Épaisseur 700um P Type N Type Polissage unique Polissage double

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Wafer de silicium 8 pouces Diamètre 200 mm <111>Épaisseur 700um P Type N Type Polissage unique Polissage double

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Numéro de type :si-2inch
Point d'origine :La Chine
Quantité d'ordre minimum :25pcs
Délai de livraison :5-30days
Détails d'emballage :casstle 25pcs dans la pièce de nettoyage de 100 catégories
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Description du produit

Wafer de silicium 8 pouces Diamètre 200 mm Épaisseur 700um P Type N Type Polissage unique Polissage double

Les plaquettes de silicium sont généralement découpées à partir de tiges de silicium monocristallin de haute pureté.puis coupé et poli pour faire des gaufres en siliciumLes diamètres des gaufres en silicium sont généralement de 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces, etc. L'épaisseur des gaufres est généralement comprise entre 0,5 et 0,7 mm.Les plaquettes de silicium peuvent être dopées avec différents éléments d'impuretés (eLes matériaux à base de silicium (par exemple, le phosphore, le bore) sont utilisés pour ajuster leurs propriétés électriques afin de créer des matériaux en silicium de type n ou de type p.Ceci est important pour la fabrication de divers circuits intégrés et dispositifs semi-conducteursLa surface des plaquettes de silicium doit être poli, nettoyé et d'autres traitements pour éliminer les défauts de surface et la contamination et assurer que la surface de la plaquette est plate et lisse.

Wafer de silicium 8 pouces Diamètre 200 mm <111>Épaisseur 700um P Type N Type Polissage unique Polissage double


Caractéristiques

1.Structure cristalline:Le silicium est un semi-conducteur élémentaire typique avec une structure cristalline de diamant régulière et une disposition ordonnée des atomes, ce qui fournit une bonne base pour ses propriétés électroniques.
2.Caractéristiques électroniques:La largeur de la bande passante du silicium est d'environ 1,12 eV, qui est entre l'isolant et le conducteur, et peut générer et recombiner des paires d'électrons-trous sous l'action d'un champ électrique externe,présentant ainsi de bonnes propriétés de semi-conducteurs.
3.Le dopage:Le silicium peut être réglé en incorporant des éléments d'impuretés du groupe III (par exemple, B) ou V (par exemple, P, As) pour ajuster son type de conductivité et sa résistivité,fournissant la possibilité de fabriquer divers dispositifs à semi-conducteurs.
4.Oxydation:Le silicium peut réagir chimiquement avec l'oxygène à haute température pour former un film dense et uniforme de dioxyde de silicium (SiO2), qui jette les bases des processus de circuits intégrés à base de silicium.
5.Propriétés mécaniques:Le silicium a une dureté, une résistance et une stabilité chimiques élevées, ce qui favorise la découpe, le polissage et d'autres processus de traitement ultérieurs.
6.Taille et taille:Les plaquettes peuvent être préparées en disques de 2 pouces à 12 pouces de diamètre pour répondre aux besoins de différents processus.

Wafer de silicium 8 pouces Diamètre 200 mm <111>Épaisseur 700um P Type N Type Polissage unique Polissage double


Paramètres techniques

Wafer de silicium 8 pouces Diamètre 200 mm <111>Épaisseur 700um P Type N Type Polissage unique Polissage double


Applications

1.Circuits intégrés:Les plaquettes de silicium sont les principaux supports pour la fabrication de divers circuits intégrés numériques (tels que les processeurs, les mémoires) et les circuits intégrés analogiques (tels que les amplificateurs et les capteurs opérationnels).
2.Piles solaires:Les plaquettes de silicium sont transformées en modules de cellules solaires, largement utilisés dans la production et l'alimentation en énergie photovoltaïque distribuée.
3.Systèmes microélectromécaniques (MEMS):Les dispositifs MEMS tels que les microactionneurs et les capteurs sont fabriqués en utilisant les propriétés mécaniques et les techniques de microfabrication des matériaux en silicium.
3.électronique de puissance:Fabriquer une large gamme de dispositifs semi-conducteurs de puissance utilisant une tolérance à haute température et une capacité de charge élevée à base de silicium.
4.Les capteurs:Les capteurs à base de silicium sont largement utilisés dans les équipements électroniques, le contrôle industriel, l'électronique automobile et d'autres domaines, tels que les capteurs de pression, les capteurs d'accélération, etc.

Wafer de silicium 8 pouces Diamètre 200 mm <111>Épaisseur 700um P Type N Type Polissage unique Polissage double


Nos services

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Questions fréquentes

1.Q: Quel est le délai de livraison?
A: (1) Pour les produits standard
Pour l'inventaire: la livraison est de 5 jours ouvrables après la commande.
Pour les produits sur mesure: la livraison est de 2 ou 3 semaines après la commande.
(2) Pour les produits de forme spéciale, la livraison est de 4 semaines ouvrables après la commande.

2.Q: Puis-je personnaliser les produits en fonction de mes besoins?
R: Oui, nous pouvons personnaliser le matériau, les spécifications pour vos composants optiques
en fonction de vos besoins.

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